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IXKN40N60C

更新时间： 2024-11-06 14:56:11

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		散热片
页数	文件大小	规格书
3页	118K
描述
此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS(on)。内部DCB隔离简化了组装并减小了从结到散热片之间的热阻。这些器件经过了雪崩评级，因此可确保稳定可靠的运行。功能与特色: 应用: 优点:

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IXKN40N60C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	1800 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.07 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	290 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXKN40N60C 数据手册

IXKN 40N60C

CoolMOS^{™ 1)}Power MOSFET

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

600 V 40 A 70 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Low R_DSon, High V_DSSMOSFET

miniBLOC, SOT-227 B

E72873

Preliminary data

G = Gate

D = Drain

S = Source

Either source terminal at miniBLOC can be used

as main or kelvin source

Features

MOSFET

• miniBLOC package

- Electrically isolated copper base

- Low coupling capacitance to the heatsink for

reduced EMI

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C to 150°C

600

- International standard package SOT-227

- Easy screw assembly

V_GS

• fast CoolMOS^{™ 1)}power MOSFET

3^rdgeneration

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

- High blocking capability

- Low on resistance

- Avalanche rated for unclamped

inductive switching (UIS)

dv/dt

V_DS< V_DSS; I_F≤ 47 A;⎮di_F/dt⎮≤ 100 A/µs

T_VJ= 150°C

V/ns

- Low thermal resistance

due to reduced chip thickness

• Enhanced total power density

E_AS

E_AR

I_D= 10 A; L = 36 mH; T_C= 25°C

I_D= 20 A; L = 5 µH; T_C= 25°C

1.8

Applications

• Switched mode power supplies (SMPS)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Power factor correction (PFC)

• Welding

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ. max.

• Inductive heating

R_DSon

V_GSth

I_DSS

V_GS= 10 V;I_D= 0.5 • I_D25

V_DS= 20 V;I_D= 2.5 mA;

70 mΩ

3.9

¹⁾CoolMOS^™is a trademark of

Infineon Technologies AG.

2.1

V_DS= V_DSS;V_GS= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

25 µA

µA

I_GSS

V_GS= 20 V; V_DS= 0 V

100 nA

Q_g

Q_gs

Q_gd

250

120

V_GS= 10 V; V_DS= 350 V; I_D= 50 A

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

110

V_GS= 10 V; V_DS= 380 V;

I_D= 50 A; R_G= 1.8 Ω

V_F

(reverse conduction) I_F= 20 A; V_GS= 0 V

0.9

1.1

R_thJC

0.43 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20080523a

1 - 2

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXKN45N80C	IXYS	获取价格	CoolMOS Power MOSFET
IXKN45N80C	LITTELFUSE	获取价格	此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS
IXKN75N60	IXYS	获取价格	CoolMOS Power MOSFET
IXKN75N60C	IXYS	获取价格	CoolMOS Power MOSFET
IXKN75N60C	LITTELFUSE	获取价格	此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS
IXKP10N60C5	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600A I(D), 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
IXKP10N60C5M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXKP10N60C5M	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXKP13N60C5	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXKP13N60C5M	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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