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IXKC25N80C

更新时间： 2024-12-01 14:56:43

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关晶体管散热片
页数	文件大小	规格书
5页	178K
描述
此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS(on)。内部DCB隔离简化了组装并减小了从结到散热片之间的热阻。这些器件经过了雪崩评级，因此可确保稳定可靠的运行。功能与特色: 应用: 优点:

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IXKC25N80C 数据手册

IXKC 25N80C

CoolMOS^{™ 1)}Power MOSFET

ISOPLUS^TMPackage

I_D25

V_DSS

= 25 A

= 800 V

R_{DS(on) max}= 150 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Low R_DSon, high V_DSSMOSFET

Electrically Isolated Back Surface

ISOPLUS220

isolated

back surface

E72873

Features

MOSFET

• Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C

800

- high power dissipation

- isolated mounting surface

- 2500 V electrical isolation

• 3^rdgeneration CoolMOS^{™ 1)}power

MOSFET

V_GS

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

- high blocking capability

- lowest resistance

E_AS

E_AR

T_{J start}= 25°C; single pulse; I_D= 3.4 A

670

0.5

_{J start}= 25°C; repetitive; I_D= 17 A

- avalanche rated for unclamped

inductive switching (UIS)

• Low thermal resistance due to

reduced chip thickness

dV/dt

V_DS< V_DSS; I_F= 35 A; T_VJ= 150°C

d_IR/dt = 100 A/µs

V/ns

• Low drain to tab capacitance (<30 pF)

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

Applications

min. typ. max.

• Switched mode power supplies (SMPS)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Power factor correction (PFC)

• Welding

R_DSon

V_GS= 10 V; I_D= I_D90

135

150

mΩ

V_GS(th)

I_DSS

V_DS= V_GS; I_D= 2 mA

V_DS= V_DSS; V_GS= 0 V

• Inductive heating

T_VJ= 25°C

_VJ= 125°C

µA

250

Advantages

I_GSS

V_GS

20 V; V_DS= 0 V

200

• Easy assembly: no screws or isolation

foils required

• Space savings

C_iss

C_oss

C_rss

4600

2500

120

V_GS= 0 V; V_DS= 25 V; f = 1 MHz

• High power density

Q_g

Q_gs

Q_gd

180

V_GS= 0 to 10 V; V_DS= 640 V; I_D= I_D90

¹⁾CoolMOS^™is a trademark of

Inﬁneon Technologies AG.

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_GS= 10 V; V_DS= 640 V; T_VJ= 125°C

I_D= 35 A; R_G= 2.2 Ω

R_thJC

0.5 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20080526a

1 - 4

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