品牌 | Logo | 应用领域 |
力特 - LITTELFUSE | 散热片 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 212K | |
描述 | ||
此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS(on)。 内部DCB隔离简化了组装并减小了从结到散热片之间的热阻。 这些器件经过了雪崩评级,因此可确保稳定可靠的运行。 功能与特色: 应用: 优点: |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXKF40N60SCD1 | IXYS |
获取价格 |
CoolMOS Power MOSFET with Series Schottky Diode and Ultra Fast Antiparallel Diode in High | |
IXKF40N60SCD1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS | |
IXKG25N80C | IXYS |
获取价格 |
CoolMOS Power MOSFET ISO264 | |
IXKH13N60C5 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXKH13N60C5 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXKH20N60C5 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXKH20N60C5 | IXYS |
获取价格 |
CoolMOS⢠1) Power MOSFET | |
IXKH24N60C5 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXKH24N60C5 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXKH30N60C5 | IXYS |
获取价格 |
CoolMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Rdson, High Vdss MOSFET |