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IXKH13N60C5

更新时间： 2024-02-10 08:40:06

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	124K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

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IXKH13N60C5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXKH13N60C5 数据手册

IXKH 13N60C5

IXKP 13N60C5

Advanced Technical Information

I_D25

V_DSS

R_DS(on)max= 0.3 Ω

= 13 A

= 600 V

CoolMOS Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Low R_DSon, High V_DSSMOSFET

Ultra low gate charge

TO-247 AD (IXKH)

D(TAB)

TO-220 AB (IXKP)

Features

MOSFET

• fast CoolMOS power MOSFET - 4^thgeneration

- High blocking capability

- Lowest resistance

- Avalanche rated for unclamped

inductive switching (UIS)

- Low thermal resistance

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C

600

V_GS

due to reduced chip thickness

• Enhanced total power density

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

Applications

E_AS

E_AR

single pulse

repetitive

290 mJ

0.44 mJ

I_D= 4.4 A; T_C= 25°C

• Switched mode power supplies (SMPS)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Power factor correction (PFC)

• Welding

• Inductive heating

• PDP and LCD adapter

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ. max.

CoolMOS is a trademark of

Infineon Technologies AG.

R_DSon

V_GSth

I_DSS

V_GS= 10 V;I_D= 6.6 A

V_DS= V_GS;I_D= 0.44 mA

270

300 mΩ

2.5

3.5

V_DS= 600 V;V_GS= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 150°C

µA

tbd

I_GSS

V_GS= 20 V; V_DS= 0 V

100 nA

C_iss

C_oss

V_GS= 0 V; V_DS= 100 V

f = 1 MHz

1100

Q_g

Q_gs

Q_gd

7.6

30 nC

V_GS= 0 to10 V; V_DS= 400 V; I_D= 6.6 A

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

tbd

V_GS= 10 V; V_DS= 400 V;

I_D= 6.6 A; R_G= 4.3 Ω

R_thJC

0.95 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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