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IXKH30N60C5

更新时间： 2024-11-06 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		散热片
页数	文件大小	规格书
5页	172K
描述
此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS(on)。内部DCB隔离简化了组装并减小了从结到散热片之间的热阻。这些器件经过了雪崩评级，因此可确保稳定可靠的运行。功能与特色: 应用: 优点:

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IXKH30N60C5 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

IXKH30N60C5 数据手册

IXKH 30N60C5

CoolMOS^{™ 1)}Power MOSFET

I_D25

V_DSS

30A

= 600V

R_{DS(on) max}= 0.125Ω

N-Channel Enhancement Mode

Low R_DSon, High V_DSSMOSFET

Ultra low gate charge

TO-247 AD

q D(TAB)

Features

MOSFET

• fast CoolMOS^{™ 1)}power MOSFET

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

4^thgeneration

T_VJ= 25°C

600

- High blocking capability

- Lowest resistance

V_GS

- Avalanche rated for unclamped

inductive switching (UIS)

- Low thermal resistance

due to reduced chip thickness

• Enhanced total power density

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

E_AS

E_AR

single pulse

repetitive

708

1.2

I_D= 11 A; T_C= 25°C

dV/dt

MOSFET dV/dt ruggedness V_DS= 0...480 V

50 V/ns

Applications

• Switched mode power supplies

(SMPS)

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Power factor correction (PFC)

• Welding

min. typ. max.

R_DSon

V_GS= 10 V; I_D= 16 A

110

125

mΩ

• Inductive heating

• PDP and LCD adapter

V_GS(th)

I_DSS

V_DS= V_GS; I_D= 1.1 mA

V_DS= 600 V; V_GS= 0 V

2.5

3.5

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

µA

¹⁾CoolMOS^™is a trademark of

Inﬁneon Technologies AG.

I_GSS

V_GS

20 V; V_DS= 0 V

100

C_iss

C_oss

V_GS= 0 V; V_DS= 100 V

f = 1 MHz

2500

120

Q_g

Q_gs

Q_gd

V_GS= 0 to 10 V; V_DS= 400 V; I_D= 16 A

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_GS= 10 V; V_DS= 400 V

I_D= 16 A; R_G= 3.3 Ω

R_thJC

0.4 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20090209d

1 - 4

12 3 4 5

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与IXKH30N60C5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXKH35N60C5	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXKH35N60C5	LITTELFUSE	获取价格	此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS
IXKH47N60C	IXYS	获取价格	CoolMOSâ¢ 1) Power MOSFET
IXKH47N60C	LITTELFUSE	获取价格	此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS
IXKH70N60C5	IXYS	获取价格	CoolMOSâ¢ 1) Power MOSFET
IXKH70N60C5	LITTELFUSE	获取价格	此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS
IXKK85N60C	IXYS	获取价格	CoolMOSTM Superjunction MOSFET
IXKK85N60C	LITTELFUSE	获取价格	此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS
IXKK94N60C3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 600V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXKK94N60C3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 600V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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