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IXKC40N60C PDF预览

IXKC40N60C

更新时间： 2024-11-30 03:14:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220

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IXKC40N60C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ISOPLUS220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.71
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：690 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：28 A
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.096 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXKC40N60C 数据手册

 浏览型号IXKC40N60C的Datasheet PDF文件第2页 
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION  
IXKC 40N60C  
CoolMOS Power MOSFET  
ISOPLUS220TM  
V
I
R
= 600 V  
= 28 A  
= 96 mΩ  
DSS  
D25  
Electrically Isolated Back Surface  
DS(on)  
N-Channel Enhancement Mode  
Low RDS(on), High Voltage,, MOSFET  
ISOPLUS 220TM  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VGS  
T
= 25°C to 150°C  
600  
V
V
J
Continuous  
±20  
G
D
S
ID25  
ID90  
T
T
= 25°C; Note 1  
= 90°C, Note 1  
28  
19  
A
A
C
C
Isolated back surface*  
ID(RMS)  
Package lead current limit  
45  
A
G = Gate,  
S = Source  
D = Drain,  
EAS  
EAR  
I
= 10A, T = 25°C  
690  
1
mJ  
mJ  
C
Io = 20A  
o
* Patent pending  
PD  
T
= 25°C  
250  
W
C
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +125  
l Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
RMS leads-to-tab, 50/60 Hz, t = 1 minute  
Mounting force  
300  
°C  
- High power dissipation  
- Isolated mounting surface  
- 2500V electrical isolation  
VISOL  
FC  
2500  
V~  
11 ... 65 / 2.4 ...11 N/lb  
ND  
l 2 generation CoolMOS power MOSFET  
- High blocking capability  
- Low on resistance  
Weight  
3
g
- Avalanche rated for unclamped inductive  
switching (UIS)  
l Low thermal resistance due to reduced  
chip thickness  
l Low drain to tab capacitance(<30pF)  
Applications  
Symbol  
RDS(on)  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(T = 25°C, unless otherwise specified)  
l Switched Mode Power Supplies (SMPS)  
l Uninterruptible Power Supplies (UPS)  
l Power Factor Correction (PFC)  
l Welding  
J
min. typ. max.  
V
V
= 10 V, I = I , Note 3  
= 10 V, I = I , Note 3 T = 125°C  
80  
230  
96 mΩ  
mΩ  
l Inductive Heating  
GS  
GS  
D
D90  
D
D90  
J
Advantages  
VGS(th)  
IDSS  
V
V
= V , I = 2 mA  
3.5  
5.5  
2
V
DS  
DS  
GS  
D
l Easy assembly: no screws or isolation  
foils required  
l Space savings  
= V  
= 0 V  
T = 25°C  
µA  
µA  
DSS  
J
V
T = 125°C  
20  
GS  
J
l High power density  
IGSS  
V
= ±20 V , V = 0  
±200  
nA  
GS  
DC  
DS  
COOLMOS is a trademark of Infineon  
Technolgy  
98847 (6/01)  
© 2001 IXYS All rights reserved  
12

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IXKC40N60C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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