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IXKF40N60SCD1

更新时间： 2024-01-13 00:44:28

品牌	Logo	应用领域
IXYS		肖特基二极管高压
页数	文件大小	规格书
2页	36K
描述
CoolMOS Power MOSFET with Series Schottky Diode and Ultra Fast Antiparallel Diode in High Voltage ISOPLUS i4-PAC

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IXKF40N60SCD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	I4PAC-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	38 A
最大漏极电流 (ID)：	38 A	最大漏源导通电阻：	0.07 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXKF40N60SCD1 数据手册

Advanced Technical Information

IXKF 40N60SCD1

I_D25= 38 A

V_DSS= 600 V

R_DSon= 60 mΩ

CoolMOS Power MOSFET

with Series Schottky Diode and

Ultra Fast Antiparallel Diode

in High Voltage ISOPLUS i4-PAC^TM

t_rr

= 70 ns

Features

MOSFET T

• fast CoolMOS power MOSFET - 2nd

generation

- High blocking voltage

- Low on resistance

- Low thermal resistance due to reduced

chip thickness

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C to 150°C

600

±20

V_GS

• Series Schottky diode prevents current

flow through MOSFET’s body diode

- very low forward voltage

- fast switching

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

• Ultra fast HiPerFRED^TManti parallel diode

- low operating forward voltage

- fastandsoftreverserecovery-lowswitching

losses

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ. max.

• ISOPLUS i4-PAC^TMhigh voltage package

- isolated back surface

R_DSon

V_GSth

I_DSS

V_GS= 10 V;I_D= I_D90

70 mΩ

5.5 V

- low coupling capacity between pins and

heatsink

- enlarged creepage towards heatsink

- enlarged creepage between high voltage

pins

V_DS= 20 V;I_D= 3 mA;

3.5

V_DS= V_DSS;V_GS= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

0.3 mA

0.5

- application friendly pinout

- high reliability

I_GSS

V_GS= ±20 V; V_DS= 0 V

100 nA

- industry standard outline

Q_g

Q_gs

Q_gd

220

125

V_GS= 10 V; V_DS= 350 V; I_D= 50 A

Applications

Converters with

• circuit operation leading to current flow

through switches in reverse direction - e. g.

- phaseleg with inductive load

- resonant circuits

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

100

V_GS= 10 V; V_DS= 380 V;

I_D= 25 A; R_G= 1.8 Ω

• high switching frequency

R_thJC

R_thJH

0.45 K/W

K/W

Examples

with heat

transfer paste

0.9

• switched mode power supplies (SMPS)

• uninterruptable power supplies (UPS)

• DC-DC converters

• welding converters

• converters for inductive heating

• drive converters

CoolMOS is a trademark of

Infineon Technologies AG.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 2

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IXKF40N60SCD1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TK39A60W	TOSHIBA	功能相似	Switching Voltage Regulators
IXKR40N60	IXYS	功能相似	CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package
FMD40-06KC	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs -Boost Chopper Topology in ISOPLUS i4-PAC

与IXKF40N60SCD1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXKG25N80C	IXYS	获取价格	CoolMOS Power MOSFET ISO264
IXKH13N60C5	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXKH13N60C5	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXKH20N60C5	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXKH20N60C5	IXYS	获取价格	CoolMOSâ¢ 1) Power MOSFET
IXKH24N60C5	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXKH24N60C5	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXKH30N60C5	IXYS	获取价格	CoolMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Rdson, High Vdss MOSFET
IXKH30N60C5	LITTELFUSE	获取价格	此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS
IXKH35N60C5	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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