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IXGH6N170

更新时间： 2024-01-28 11:17:27

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IXYS		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
4页	138K
描述
High Voltage IGBT

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IXGH6N170 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	65 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	271 ns
标称接通时间 (ton)：	91 ns	Base Number Matches：	1

IXGH6N170 数据手册

IXGH 6N170

IXGT 6N170

Fig. 7. Gate Charge

Fig. 8. Capacitance

1,000

100

f = 1 MHz

= 850V

= 6A

= 10 mA

ies

oes

res

V_CE- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 10. Maximum Transient Thermal

Resistance

Fig. 9. Reverse-Bias Safe Operating Area

10.0

1.0

= 125ºC

= 33

dV / dT < 10V / ns

0.1

100

300

500

700

900

1100 1300 1500 1700

0.0001

0.001

0.01

0.1

V_CE- Volts

Pulse Width - Seconds

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

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