IXFK170N20P

更新时间： 2024-02-03 12:59:55

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Polar Power MOSFET HiperFET

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IXFK170N20P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
Base Number Matches：	1

IXFK170N20P 数据手册

IXFK170N20P

IXFX170N20P

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

180

160

140

120

100

140

120

100

T_J= - 40ºC

T_J= 150ºC

25ºC

- 40ºC

25ºC

150ºC

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

100

120

140

160

180

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 9. Forward Voltage Drop of

Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

350

300

250

200

150

100

V_DS= 100V

I _D= 85A

I _G= 10mA

T_J= 150ºC

T_J= 25ºC

0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5

V_SD- Volts

100 120 140 160 180 200

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 11. Capacitance

Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area

100,000

10,000

1,000

100

1,000.0

100.0

10.0

1.0

R_DS(on)Limit

iss

25µs

100µs

oss

1ms

10ms

T_J= 175ºC

100ms

T_C= 25ºC

Single Pulse

rss

= 1 MHz

0.1

100

1000

V_DS- Volts

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

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