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IXFH50N50P3

更新时间： 2024-02-09 10:48:21

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	208K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFH50N50P3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	7.97	Base Number Matches：	1

IXFH50N50P3 数据手册

IXFT50N50P3 IXFQ50N50P3

IXFH50N50P3

Fig. 7. Input Admittance

Fig. 8. Transconductance

T = - 40^oC

= 125^oC

25^oC

- 40^oC

25^oC

125^oC

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

1.2

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

160

140

120

100

= 250V

= 25A

= 10mA

T = 125^oC

T = 25^oC

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

V_SD- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 11. Capacitance

Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area

100,000

10,000

1,000

100

1000

100

= 1 MHz

Limit

DS(on)

25μs

iss

100μs

oss

1ms

10ms

100ms

T = 150^oC

= 25^oC

0.1

0.01

rss

Single Pulse

100

1,000

V_DS- Volts

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

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