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IXFH120N25X3

更新时间： 2024-02-04 08:59:07

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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFH120N25X3 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.29	Base Number Matches：	1

IXFH120N25X3 数据手册

IXFT120N25X3HV IXFQ120N25X3

IXFH120N25X3

Fig. 7. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig. 8. Input Admittance

180

160

140

120

100

140

120

100

= 125 C

25 C

- 40 C

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

-50

-25

100

125

150

T_C- Degrees Centigrade

V_GS- Volts

Fig. 9. Transconductance

Fig. 10. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

180

160

140

120

100

500

400

300

200

100

T = - 40 C

25 C

125 C

T = 125 C

T = 25 C

100

150

200

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

V_SD- Volts

I_D- Amperes

Fig. 12. Capacitance

Fig. 11. Gate Charge

100,000

10,000

1,000

100

= 125V

= 60A

iss

= 10mA

oss

rss

= 1 MHz

100

120

100

1,000

V_DS- Volts

Q_G- NanoCoulombs

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

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