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IXFA5N50P3

更新时间： 2024-01-14 01:02:40

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IXYS		/
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5页	167K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IXFA5N50P3 技术参数

IXFY5N50P3 IXFA5N50P3

IXFP5N50P3

Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance

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0.1

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0.00001

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0.1

Pulse Width - Seconds

IXYS REF: F_5N50P3(K2) 3-23-12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA60N25X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA6N120P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFA6N120P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA72N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA72N30X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA72N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA76N15T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFA76N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFA7N100P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFA7N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta