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IXFA5N50P3

更新时间： 2024-02-27 05:19:37

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5页	167K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IXFA5N50P3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

IXFA5N50P3 数据手册

IXFY5N50P3 IXFA5N50P3

IXFP5N50P3

Fig. 7. Input Admittance

Fig. 8. Transconductance

T_J= - 40ºC

25ºC

T_J= 125ºC

25ºC

125ºC

- 40ºC

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

I_D- Amperes

V_GS- Volts

Fig. 10. Gate Charge

Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

V_DS= 250V

_D= 2.5A

I _G= 10mA

T_J= 125ºC

T_J= 25ºC

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

V_SD- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 11. Capacitance

Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area

1,000

100

R_DS(on)Limit

iss

25µs

100µs

oss

T_J= 150ºC

_C= 25ºC

Single Pulse

= 1 MHz

rss

1ms

0.1

100

1,000

V_DS- Volts

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

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