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IXFA5N100P

更新时间： 2024-01-26 13:35:58

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4页	154K
描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFA5N100P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
Base Number Matches：	1

IXFA5N100P 数据手册

IXFA5N100P IXFH5N100P

IXFP5N100P

Fig. 7. Input Admittance

Fig. 8. Transconductance

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

6.0

5.5

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

T_J= - 40ºC

T_J= 125ºC

25ºC

- 40ºC

25ºC

125ºC

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

1.2

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 9. Forward Voltage Drop of

Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

V_DS= 500V

I _D= 2.5A

I _G= 10mA

T_J= 125ºC

T_J= 25ºC

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

V_SD- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 12. Maximum Transient Thermal

Impedance

Fig. 11. Capacitance

10,000

1.00

0.10

0.01

= 1 MHz

iss

1,000

100

oss

rss

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Seconds

V_DS- Volts

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYS REF: F_5N100P(55-744)6-27-08

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