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IXFA36N30P3

更新时间： 2024-01-22 01:22:10

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5页	163K
描述
Power Field-Effect Transistor

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IXFA36N30P3 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	4.31	Base Number Matches：	1

IXFA36N30P3 数据手册

IXFA36N30P3

IXFP36N30P3

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

= - 40ºC

25ºC

125ºC

= 125ºC

25ºC

- 40ºC

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

120

100

= 300V

= 18A

= 10mA

= 125ºC

= 25ºC

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

V_SD- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 11. Capacitance

Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area

10,000

1,000

100

Limit

DS(on)

= 1 MHz

100µs

iss

oss

1ms

rss

T = 150ºC

10ms

= 25ºC

100ms

Single Pulse

0.1

100

1,000

V_DS- Volts

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

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