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IXA20IF1200HB

更新时间： 2024-11-05 22:54:51
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网栅双极性晶体管功率控制
页数 文件大小 规格书
7页 166K
描述
IGBT 1200V 38A 165W TO247

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IXA20IF1200HB 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.48Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：38 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：165 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：350 ns标称接通时间 (ton)：110 ns
Base Number Matches：1

IXA20IF1200HB 数据手册

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IXA20IF1200HB  
VCES  
IC25  
=
=
=
1200V  
38A  
XPT IGBT  
VCE(sat)  
1.8V  
Copack  
Part number  
IXA20IF1200HB  
Backside: collector  
2 (C)  
(G) 1  
3 (E)  
TO-247  
Package:  
Features / Advantages:  
Applications:  
● Easy paralleling due to the positive temperature  
coefficient of the on-state voltage  
● Rugged XPT design (Xtreme light Punch Through)  
results in:  
- short circuit rated for 10 µsec.  
- very low gate charge  
● AC motor drives  
● Solar inverter  
● Industry standard outline  
● RoHS compliant  
● Epoxy meets UL 94V-0  
● Medical equipment  
● Uninterruptible power supply  
● Air-conditioning systems  
● Welding equipment  
● Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
- low EMI  
- square RBSOA @ 3x Ic  
● Thin wafer technology combined with the XPT design  
results in a competitive low VCE(sat)  
● SONIC™ diode  
● Inductive heating, cookers  
● Pumps, Fans  
- fast and soft reverse recovery  
- low operating forward voltage  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified  
20100102a  
© 2010 IXYS all rights reserved  
1234567

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与IXA20IF1200HB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXA20PG1200DHGLB IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS-9
IXA20PG1200DHGLB LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS-9
IXA20PT1200LB LITTELFUSE

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 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
IXA20RG1200DHGLB LITTELFUSE

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 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
IXA27IF1200HJ IXYS

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 		Easy paralleling due to the positive temperature coefficient of the on-state voltage
IXA27IF1200HJ LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXA30PG1200DHGLB LITTELFUSE

获取价格

 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
IXA30RG1200DHGLB LITTELFUSE

获取价格

 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
IXA33IF1200HB IXYS

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 		XPT IGBT
IXA33IF1200HB LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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