5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXA40PG1200DHGLB
IXA40PG1200DHGLB PDF预览

IXA40PG1200DHGLB

更新时间： 2024-11-06 14:56:11
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 160K
描述
我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入了可按标准表面安装式(SMD)焊接工艺组装的模块，并可随时取放，在客户现有的SMD组装线上组装。 我们的

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXA40PG1200DHGLB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G9Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.37其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：63 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PDSO-G9
元件数量：2端子数量：9
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：230 W
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Nickel (39) Tin (984)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：350 ns
标称接通时间 (ton)：110 nsVCEsat-Max：2.15 V

IXA40PG1200DHGLB 数据手册

 浏览型号IXA40PG1200DHGLB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXA40PG1200DHGLB的Datasheet PDF文件第3页 
Advanced Technical Information  
IXA 40PG1200DHGLB  
IC25  
VCES  
VCE(sat) typ = 1.85V  
= 63A  
=1200V  
XPT IGBT phaseleg  
ISOPLUS™  
Surface Mount Power Device  
7
D3  
D4  
6
1
D1  
D2  
S1  
4
5
9
S2  
3
2
E72873  
8
Features  
IGBTs S1, S2  
• XPT IGBT  
- low saturation voltage  
- positive temperature coefficient for  
easy paralleling  
- fast switching  
- short tail current for optimized  
performance in resonant circuits  
• SonicTM diode  
- fast reverse recovery  
- low operating forward voltage  
- low leakage current  
• VCEsat detection diode  
- integrated into package  
- very fast diode  
Symbol  
VCES  
Conditions  
Maximum Ratings  
TVJ = 25°C to 150°C  
1200  
20  
V
VGES  
V
IC25  
IC80  
TC = 25°C  
TC = 80°C  
63  
45  
A
A
ICM  
VCEK  
VGE = 15 V; RG = 27 W; TVJ = 125°C  
RBSOA, clamped inductive load; L = 100 µH  
105  
VCES  
A
µs  
W
tSC  
VCE = 900 V; VGE = 15 V; RG = 27 W; TVJ = 125°C  
10  
(SCSOA) none repetitive  
Ptot  
TVJ = 25°C  
230  
• Package  
Symbol  
Conditions  
Characteristic  
Values  
- isolated back surface  
- low coupling capacity between pins  
and heatsink  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
- PCB space saving  
min. typ. max.  
- enlarged creepage towards heatsink  
- application friendly pinout  
- low inductive current path  
- high reliability  
VCE(sat)  
IC = 35 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C  
VJ = 125°C  
1.85  
2.2  
2.15  
V
V
T
VGE(th)  
ICES  
IC = 1.5 mA; VGE = VCE  
VCE = VCES; VGE = 0 V; TVJ = 25°C  
VJ = 125°C  
5.4  
6.5  
V
0.15  
mA  
mA  
Applications  
T
0.25  
• Phaseleg  
- buck-boost chopper  
IGES  
VCE = 0 V; VGE  
=
20 V  
200  
nA  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Eon  
Eoff  
70  
40  
250  
100  
3.8  
4.1  
ns  
ns  
ns  
ns  
mJ  
mJ  
• Full bridge  
- power supplies  
- induction heating  
- four quadrant DC drives  
- controlled rectifier  
• Three phase bridge  
- AC drives  
Inductive load; TVJ = 125°C  
VCE = 600 V; IC = 35 A  
VGE = 15 V; RG = 27 W  
Cies  
QGon  
VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz  
VCE = 600 V; VGE = 15 V; IC = 35 A  
tbd  
107  
pF  
nC  
- controlled rectifier  
RthJC  
RthJH  
0.55 K/W  
0.95 K/W  
with heatsink compound (IXYS test setup)  
0.75  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2012 IXYS All rights reserved  
20120131b  
1 - 3  
123

中文翻译

下载PDF

与IXA40PG1200DHGLB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXA40PG1200DHGLB-TRR LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 1200V V(BR)CES,
IXA40RG1200DHGLB IXYS

获取价格

 		IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
IXA40RG1200DHGLB LITTELFUSE

获取价格

 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
IXA40RG1200DHGLB-TRR IXYS

获取价格

 		IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
IXA45IF1200HB LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXA4I1200UC LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXA4IF1200TC IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, D3PAK-3/2
IXA4IF1200TC LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXA4IF1200UC LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXA531L4 IXYS

获取价格

 		Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.6A, PQCC44, PLASTIC, LCC-44

与IXA40PG1200DHGLB相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证