是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-247AD |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 8.48 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 43 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极发射器阈值电压最大值: | 6.5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 350 ns |
标称接通时间 (ton): | 110 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXA30PG1200DHGLB | LITTELFUSE |
获取价格 |
我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展,纳入 | |
IXA30RG1200DHGLB | LITTELFUSE |
获取价格 |
我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展,纳入 | |
IXA33IF1200HB | IXYS |
获取价格 |
XPT IGBT | |
IXA33IF1200HB | LITTELFUSE |
获取价格 |
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXA37IF1200HJ | IXYS |
获取价格 |
Uninterruptible power supply | |
IXA37IF1200HJ | LITTELFUSE |
获取价格 |
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXA40PG1200DHGLB | IXYS |
获取价格 |
IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD | |
IXA40PG1200DHGLB | LITTELFUSE |
获取价格 |
我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展,纳入 | |
IXA40PG1200DHGLB-TRR | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 1200V V(BR)CES, | |
IXA40RG1200DHGLB | IXYS |
获取价格 |
IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD |