是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | ISOPLUS |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 4.42 | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 84 A | 集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值: | 6.5 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 290 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 350 ns |
标称接通时间 (ton): | 110 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXGR35N120B | IXYS |
功能相似 |
HiPerFAST IGBT ISOPLUS247 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXA60IF1200NA | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 88A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, PL | |
IXA60IF1200NA | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXA611 | IXYS |
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600mA Half-Bridge Driver | |
IXA611P7 | IXYS |
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600mA Half-Bridge Driver | |
IXA611S3 | IXYS |
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600mA Half-Bridge Driver | |
IXA70I1200NA | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXA70R1200NA | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXAN0069 | IXYS |
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DC to DC Synchronous Converter Design | |
IXBA14N300HV | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor | |
IXBA16N170AHV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |