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IXA40PG1200DHGLB-TRR

更新时间： 2024-09-15 20:11:35

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
3页	245K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 1200V V(BR)CES,

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IXA40PG1200DHGLB-TRR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	最大集电极电流 (IC)：	63 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	门极-发射极最大电压：	20 V
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大功率耗散 (Abs)：	230 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
VCEsat-Max：	2.15 V	Base Number Matches：	1

IXA40PG1200DHGLB-TRR 数据手册

浏览型号IXA40PG1200DHGLB-TRR的Datasheet PDF文件第2页

Advanced Technical Information

IXA 40PG1200DHGLB

I_C25

V_CES

V_{CE(sat) typ}= 1.85V

= 63A

=1200V

XPT IGBT phaseleg

ISOPLUS™

Surface Mount Power Device

E72873

Features

IGBTs S1, S2

• XPT IGBT

- low saturation voltage

- positive temperature coefﬁcient for

easy paralleling

- fast switching

- short tail current for optimized

performance in resonant circuits

• Sonic^TMdiode

- fast reverse recovery

- low operating forward voltage

- low leakage current

• V_CEsatdetection diode

- integrated into package

- very fast diode

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C to 150°C

1200

V_GES

I_C25

I_C80

T_C= 25°C

T_C= 80°C

I_CM

V_CEK

V_GE= 15 V; R_G= 27 W; T_VJ= 125°C

RBSOA, clamped inductive load; L = 100 µH

105

V_CES

µs

t_SC

V_CE= 900 V; V_GE= 15 V; R_G= 27 W; T_VJ= 125°C

(SCSOA) none repetitive

P_tot

T_VJ= 25°C

230

• Package

Symbol

Conditions

Characteristic

Values

- isolated back surface

- low coupling capacity between pins

and heatsink

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

- PCB space saving

min. typ. max.

- enlarged creepage towards heatsink

- application friendly pinout

- low inductive current path

- high reliability

V_CE(sat)

I_C= 35 A; V_GE= 15 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

1.85

2.2

2.15

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1.5 mA; V_GE= V_CE

5.4

6.5

V_CE= V_CES; V_GE= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

0.15

Applications

0.25

• Phaseleg

- buck-boost chopper

I_GES

V_CE= 0 V_;V_GE

20 V

200

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

250

100

3.8

4.1

• Full bridge

- power supplies

- induction heating

- four quadrant DC drives

- controlled rectiﬁer

• Three phase bridge

- AC drives

Inductive load; T_VJ= 125°C

V_CE= 600 V; I_C= 35 A

V_GE= 15 V; R_G= 27 W

C_ies

Q_Gon

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

V_CE= 600 V; V_GE= 15 V; I_C= 35 A

tbd

107

- controlled rectiﬁer

R_thJC

R_thJH

0.55 K/W

0.95 K/W

with heatsink compound (IXYS test setup)

0.75

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20110616a

1 - 3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXA4I1200UC	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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