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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXA37IF1200HJ
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IXA37IF1200HJ

更新时间： 2024-11-18 12:09:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
6页 150K
描述
Uninterruptible power supply

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IXA37IF1200HJ 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：4.43Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：58 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：6.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：195 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：350 ns
标称接通时间 (ton)：110 nsBase Number Matches：1

IXA37IF1200HJ 数据手册

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IXA37IF1200HJ  
IC25  
VCES  
VCE(sat)typ  
=
=
=
58 A  
XPT IGBT  
V
V
1200  
1.8  
Copack  
C (2)  
Part number  
IXA37IF1200HJ  
(G) 1  
E (3)  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
● Housing: ISOPLUS247  
● Easy paralleling due to the positive temperature  
coefficient of the on-state voltage  
● Rugged XPT design (Xtreme light Punch Through)  
results in:  
- short circuit rated for 10 µsec.  
- very low gate charge  
● AC motor drives  
● Solar inverter  
● Medical equipment  
● Uninterruptible power supply  
● Air-conditioning systems  
● Welding equipment  
● Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
●rIndustry standard outline  
●rDCB isolated backside  
●rIsolation Voltage 3000 V  
●rEpoxy meets UL 94V-0  
●rRoHS compliant  
- low EMI  
- square RBSOA @ 3x Ic  
● Thin wafer technology combined with the XPT design  
results in a competitive low VCE(sat)  
● SONIC™ diode  
● Inductive heating, cookers  
- fast and soft reverse recovery  
- low operating forward voltage  
IGBT  
R a t i n g s  
Conditions  
Symbol  
VCES  
VGES  
IC25  
Definition  
min. typ. max. Unit  
VGE = 0 V  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
1200  
±20  
58  
V
V
Collector emitter voltage  
Maximum DC gate voltage  
Collector current  
A
IC90  
37  
A
Ptot  
195  
W
Total power dissipation  
ICES  
VCE = VCES ; V = 0 V  
0.1 mA  
mA  
Collector emitter leakage current  
GE  
0.1  
IGES  
VCE = 0 V; VGE = ±20 V  
500  
2.1  
nA  
V
Gate emitter leakage current  
VCE(sat)  
35  
15  
1.8  
2.1  
6
IC =  
A; VGE =  
V
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
Collector emitter saturation voltage  
V
VGE(th)  
QGon  
td(on)  
t r  
5.4  
6.5  
V
IC = 1.5 mA; VGE = VCE  
Gate emitter threshold voltage  
Total gate charge  
VCE = 600 V; VGE = 15 V; IC = 35 A  
106  
70  
nC  
ns  
ns  
ns  
ns  
mJ  
mJ  
A
Turn-on delay time  
Current rise time  
40  
Turn-off delay time  
Current fall time  
td(off)  
t f  
Inductive load  
250  
100  
3.8  
4.1  
VCE = 600 V; IC = 35 A  
Turn-on energy per pulse  
Turn-off energy per pulse  
TVJ = 125°C  
TVJ = 125°C  
Eon  
VGE = ±15 V; R = 27  
Ω
G
Eoff  
RBSOA  
105  
VGE  
=
15 V;  
RG = 27  
Ω
Reverse bias safe operation area  
VCEK = 1200 V  
Short circuit safe operation area  
Short circuit duration  
SCSOA  
tSC  
VCE = 900 V; VGE= ±15 V  
TVJ = 125°C  
10  
µs  
A
ISC  
RG = 27 ; non-repetitive  
140  
Short circuit current  
Ω
Thermal resistance juntion to case  
RthJC  
0.64 K/W  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
20100623c  
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified  
© 2010 IXYS all rights reserved  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXA40PG1200DHGLB IXYS

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 		IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
IXA40PG1200DHGLB LITTELFUSE

获取价格

 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
IXA40PG1200DHGLB-TRR LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 1200V V(BR)CES,
IXA40RG1200DHGLB IXYS

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IXA45IF1200HB LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXA4I1200UC LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXA4IF1200TC IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, D3PAK-3/2
IXA4IF1200TC LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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