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IXA20PG1200DHGLB PDF预览

IXA20PG1200DHGLB

更新时间： 2024-09-15 21:19:11
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅功率控制光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 192K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS-9

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IXA20PG1200DHGLB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G9Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：32 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PDSO-G9
元件数量：2端子数量：9
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：130 W
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Nickel (39) Tin (984)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：350 ns
标称接通时间 (ton)：110 nsVCEsat-Max：2.1 V
Base Number Matches：1

IXA20PG1200DHGLB 数据手册

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Advanced Technical Information  
IXA 20PG1200DHGLB  
IC25  
VCES  
VCE(sat) typ = 1.8V  
= 32A  
=1200V  
XPT IGBT phaseleg  
ISOPLUS™  
Surface Mount Power Device  
7
D3  
D4  
6
1
D1  
D2  
S1  
4
5
9
S2  
3
2
E72873  
8
Features  
IGBTs S1, S2  
• XPT IGBT  
- low saturation voltage  
- positive temperature coefficient for  
easy paralleling  
- fast switching  
- short tail current for optimized  
performance in resonant circuits  
• Sonic™ diode  
- fast reverse recovery  
- low operating forward voltage  
- low leakage current  
• VCEsat detection diode  
- integrated into package  
- very fast diode  
Symbol  
VCES  
Conditions  
Maximum Ratings  
TVJ = 25°C to 150°C  
1200  
20  
V
VGES  
V
IC25  
IC80  
TC = 25°C  
TC = 80°C  
32  
23  
A
A
ICM  
VCEK  
VGE = 15 V; RG = 56 W; TVJ = 125°C  
RBSOA, clamped inductive load; L = 100 µH  
45  
VCES  
A
µs  
W
tSC  
VCE = 900 V; VGE = 15 V; RG = 56 W; TVJ = 125°C  
10  
(SCSOA) none repetitive  
Ptot  
TC = 25°C  
130  
• Package  
Symbol  
Conditions  
Characteristic  
Values  
- isolated back surface  
- low coupling capacity between pins  
and heatsink  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
- PCB space saving  
min. typ. max.  
- enlarged creepage towards heatsink  
- application friendly pinout  
- low inductive current path  
- high reliability  
VCE(sat)  
IC = 15 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C  
VJ = 125°C  
1.8  
2.1  
2.1  
V
V
T
VGE(th)  
ICES  
IC = 0.6 mA; VGE = VCE  
VCE = VCES; VGE = 0 V; TVJ = 25°C  
VJ = 125°C  
5.4  
6.5  
V
125  
µA  
µA  
Applications  
T
250  
• Phaseleg  
- buck-boost chopper  
IGES  
VCE = 0 V; VGE  
=
20 V  
500  
nA  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Eon  
Eoff  
E(rec)off  
70  
40  
250  
100  
1.55  
1.7  
ns  
ns  
ns  
ns  
mJ  
mJ  
• Full bridge  
- power supplies  
- induction heating  
- four quadrant DC drives  
- controlled rectifier  
• Three phase bridge  
- AC drives  
Inductive load; TVJ = 125°C  
VCE = 600 V; IC = 15 A  
VGE = 15 V; RG = 56 W  
- controlled rectifier  
Cies  
QGon  
VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz  
VCE = 600 V; VGE = 15 V; IC = 15 A  
tbd  
48  
pF  
nC  
RthJC  
RthJH  
1.0 K/W  
1.7 K/W  
with heatsink compound (IXYS test setup)  
1.35  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2012 IXYS All rights reserved  
20120131b  
1 - 5  
123456

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与IXA20PG1200DHGLB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXA20PT1200LB LITTELFUSE

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 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
IXA20RG1200DHGLB LITTELFUSE

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 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
IXA27IF1200HJ IXYS

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 		Easy paralleling due to the positive temperature coefficient of the on-state voltage
IXA27IF1200HJ LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXA30PG1200DHGLB LITTELFUSE

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 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
IXA30RG1200DHGLB LITTELFUSE

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IXA33IF1200HB IXYS

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 		XPT IGBT
IXA33IF1200HB LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXA37IF1200HJ IXYS

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 		Uninterruptible power supply
IXA37IF1200HJ LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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