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IS65WV1288DBLL-45TLA3

更新时间： 2024-02-20 03:10:18
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 442K
描述
IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

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IS65WV1288DBLL-45TLA3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：12 weeks
风险等级：5.84最长访问时间：45 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP32,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：2.5/3.3 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：AEC-Q100
最大待机电流：0.000018 A最小待机电流：1.2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.012 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL

IS65WV1288DBLL-45TLA3 数据手册

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®
Long-term Support  
World Class Quality  
IS62WV1288DALL/DBLL  
IS65WV1288DALL/DBLL  
OPERATING RANGE (VDD)  
Range  
Ambient Temperature  
0°Cꢀtoꢀ+70°Cꢀ  
VDD  
Speed  
45ns  
55ns  
55ns  
Commercialꢀ  
ꢀ Industrialꢀ  
ꢀ Automotiveꢀ  
1.65V-2.2Vꢀ  
1.65V-2.2Vꢀ  
1.65V-2.2Vꢀ  
–40°Cꢀtoꢀ+85°Cꢀ  
–40°Cꢀtoꢀ+125°Cꢀ  
OPERATING RANGE (VDD)  
Range  
Ambient Temperature  
0°Cꢀtoꢀ+70°Cꢀ  
VDD (45 nS)  
2.3V-3.6Vꢀ  
2.3V-3.6Vꢀ  
VDD (35 nS)  
3.3V+5%  
3.3V+5%  
Commercialꢀ  
ꢀ Industrialꢀ  
–40°Cꢀtoꢀ+85°Cꢀ  
OPERATING RANGE (VDD)  
Range  
Ambient Temperature  
VDD (45 nS)  
Automotiveꢀ  
–40°Cꢀtoꢀ+125°Cꢀ  
2.3V-3.6V  
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS(1) (OverꢀOperatingꢀRange)  
-35  
-45  
-55  
Symbol Parameter  
Test Conditions  
Min. Max.  
Min. Max.  
Min. Max.  
Unit  
iCC  
VddꢀDynamicꢀOperatingꢀ  
Supply Current  
Vdd = Max.,ꢀꢀ  
iOut = 0 mA, f = fmAx  
CS1 = ViLꢀ  
Vin ≥ Vdd – 0.3V, or  
Vin ≤ 0.4V  
Com.ꢀ  
Ind.ꢀ  
—ꢀ  
—ꢀ  
—ꢀ  
8ꢀ  
12ꢀ  
15ꢀ  
ꢀ
—ꢀ  
—ꢀ  
—ꢀ  
ꢀ
6ꢀ  
8ꢀ  
12ꢀ  
ꢀ
—ꢀ  
—ꢀ  
—ꢀ  
ꢀ
5ꢀ  
7ꢀ  
12ꢀ  
ꢀ
mA  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Auto.ꢀ  
typ.(2)  
ꢀ
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ4ꢀ  
iCC1  
isB2ꢀ  
Operatingꢀ  
Supply Current  
Vdd = Max.,ꢀꢀ  
iOut = 0 mA, f = 0  
CS1 = ViLꢀ  
Vin ≥ Vdd – 0.3V, or  
Vin ≤ 0.4V  
Com.ꢀ  
Ind.ꢀ  
Auto.ꢀ  
—ꢀ  
—ꢀ  
—ꢀ  
2.5ꢀ  
2.5ꢀ  
3ꢀ  
—ꢀ  
—ꢀ  
—ꢀ  
2.5ꢀ  
2.5ꢀ  
3ꢀ  
—ꢀ  
—ꢀ  
—ꢀ  
2.5ꢀ  
2.5ꢀ  
3ꢀ  
mA  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
CMOSꢀStandbyꢀ  
Currentꢀ(CMOSꢀInputs)ꢀ  
Vdd = Max.,ꢀ  
Com.  
Ind.  
—
—
—ꢀ  
0.6  
2
4
18ꢀ  
—
—
—
2ꢀ  
4
18  
—ꢀ  
—ꢀ  
—ꢀ  
2ꢀ  
4
18  
µA  
ꢀ ꢀ  
CS1 ≥ Vdd – 0.2V,  
Vin ≥ Vdd – 0.2V, orꢀ  
Vin ≤ 0.2V, f = 0  
Auto.ꢀ  
typ.(2)  
Note:  
1. At f = fmAx, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.  
2.ꢀTypicalꢀvaluesꢀareꢀmeasuredꢀatꢀVddꢀ=ꢀ3.0V,ꢀTAꢀ=ꢀ25oCꢀandꢀnotꢀ100%ꢀtested.  
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com  
Rev. C1  
11/1/2016  
1...3456789...16

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IS65WV1288DBLL-45TLA3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IS62WV1288DBLL-45TLI ISSI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS65WV1288DBLL-45TLA3-TR ISSI

获取价格

 		IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I
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 		TTL compatible interface levels
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