是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP44,.46,32 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.5 |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 18.415 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | AEC-Q100 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.00002 A |
最小待机电流: | 1.2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IS65WV25616BLL-70BA2 | ISSI | Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 |
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IS65WV25616BLL-70BA3 | ISSI | Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 |
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IS65WV25616BLL-70BLA2 | ISSI | Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48 |
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IS65WV25616BLL-70BLA3 | ISSI | Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48 |
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IS65WV25616BLL-70TA2 | ISSI | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
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IS65WV25616BLL-70TA3 | ISSI | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
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