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IS65C256-20UA1

更新时间： 2024-11-30 14:42:55

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	57K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOP-28

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IS65C256-20UA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	0.330 INCH, PLASTIC, SOP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.86
最长访问时间：	20 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	长度：	18.1 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.8448 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8.4 mm	Base Number Matches：	1

IS65C256-20UA1 数据手册

IS65C256

ISSI

PRELIMINARY INFORMATION

SEPTEMBER 2002

32K x 8 LOW POWER CMOS

STATIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS65C256 is a low power, 32,768 word by 8-bit

CMOS static RAM. It is fabricated using ISSI's high-

performance, low power CMOS technology.

• High-speed access time: 20 ns

• Low active power: 200 mW (typical)

• Low standby power:

When CS is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down to 250 µW (typical) at CMOS input levels.

250 µW (typical) CMOS standby

• Fully static operation: no clock or refresh

required

Easy memory expansion is provided by using an active

LOW Chip Select (CS) input and an active LOW Output

Enable (OE) input. The active LOW Write Enable (WE)

controls both writing and reading of the memory.

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 5V power supply

• Temperature Offerings:

Option A1: –40^oC to +85^oC

Option A2: –40^oC to +105^oC

Option A3: –40^oC to +125^oC

TheIS65C256isPackagedintheJEDECStandard28-Pin

SOP and 28-Pin TSOP (Type I).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

32K X 8

MEMORY ARRAY

A0-A14

DECODER

VDD

GND

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CONTROL

CIRCUIT

assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device

specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev.00A

09/25/02

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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