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IS43R32800B-75BL

更新时间： 2024-10-28 00:52:19

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
39页	556K
描述
Differential clock input

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IS43R32800B-75BL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	144
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.68
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	S-PBGA-B144
JESD-609代码：	e1	长度：	12 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

IS43R32800B-75BL 数据手册

IS43R32800B

8Mx32

PRELIMINARY INFORMATION

MAY 2008

256Mb DDR Synchronous DRAM

FEATURES

DESCRIPTION:

IS43R32800B is a 4-bank x 2,097,152-word x32bit

Double Data Rate Synchronous DRAM, with SSTL_2

interface. All control and address signals are referenced

to the rising edge of CLK. Input data is registered on

both edges of data strobe, and output data and data

strobe are referenced on both edges of CLK. The

IS43R32800B achieves very high speed clock rate up to

200 MHz. It is packaged in 144-ball FBGA.

•ꢀ Vd d /Vd d q =2.5V+0.2V (-5, -6, -75)

•ꢀ Double data rate architecture; two data transfers

per clock cycle

•ꢀ Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted/

received with data

•ꢀ Differential clock input (CLK and /CLK)

•ꢀ DLL aligns DQ and DQS transitions with CLK

transitions edges of DQS

•ꢀ Commands entered on each positive CLK edge;

•ꢀ Data and data mask referenced to both edges of

KEY TIMING PARAMETERS

DQS

Parameter

-5

-6

-75 Unit

•ꢀ 4 bank operation controlled by BA0, BA1 (Bank

Clk Cycle Time

Address)

CAS Latency = 3

CAS Latency = 2.5

CAS Latency = 2

7.5

•ꢀ /CAS latency –2.0/2.5/3.0 (programmable)

•ꢀ Burst length - 2/4/8 (programmable)

•ꢀ Burst type - Sequential/ Interleave (program-

Clk Frequency

mable)

CAS Latency = 3

CAS Latency = 2.5

CAS Latency = 2

200

143

167

143

143 MHz

•ꢀ Auto precharge / All bank precharge controlled

by A8

Access Time from Clock

CAS Latency = 3

•ꢀ 4096 refresh cycles/ 64ms (4 banks concurrent

+0.70 +0.70 +0.70 ns

refresh)

CAS Latency = 2.5 +0.70 +0.70 +0.70 ns

CAS Latency = 2 +0.75 +0.75 +0.70 ns

•ꢀ Auto refresh and Self refresh

•ꢀ Row address A0-11/ Column address A0-7, A9-

SSTL_2 Interface

•ꢀ Package 144-ball FBGA

•ꢀ Available in Industrial Temperature

•ꢀ Temperature Range:

Commercial (0^oC to +70^oC)

Industrial (-40^oC to +85^oC)

ADDRESS TABLE

Parameter

8M x 32

Conﬁguration

2M x 32 x 4 banks

BA0, BA1

Bank Address Pins

Autoprecharge Pins

Row Addresses

Column Addresses

Refresh Count

A8/AP

A0 – A11

A0 – A7, A9

4096 / 64ms

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the lat-

est version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. 00D

03/19/08

12 3 4 5 6 7...39

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS43R32800B-75BLI	ISSI	获取价格	Differential clock input
IS43R32800D-5B	ISSI	获取价格	IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA
IS43R32800D-5BI	ISSI	获取价格	8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM
IS43R32800D-5BI-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA
IS43R32800D-5BL	ISSI	获取价格	8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM
IS43R32800D-5BLI	ISSI	获取价格	8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM
IS43R32800D-5BLI-TR	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144,
IS43R32800D-5BL-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA
IS43R32800D-5B-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA
IS43R32800D-6BL	ISSI	获取价格	8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM

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