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IS43R83200A-75T

更新时间： 2024-10-27 15:35:31

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
36页	975K
描述
DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

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IS43R83200A-75T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	SOP, TSSOP66,.46	针数：	66
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.75
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e0
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.006 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IS43R83200A-75T 数据手册

IS43R83200A -6,-75 (4-bank x 8,388,608 - word x 8-bit)

IS43R16160A -6,-75 (4-bank x 4,194,304 - word x 16-bit)

ISSI

256 Mb DDR Synchronous DRAM

May 2005

DESCRIPTION

Input data is registered on both edges of data strob ,

and output data and data strobe are referenced on

IS43R83200A is a 4-bank x 8,388,608-word x 8bit,

IS43R16160A is a 4-bank x 4,194,304-word x 16bit double

data rate synchronous DRAM, with SSTL_2 interface.

All control and address signals are referenced to the rising

edge of CLK.

both edges of CLK.

The IS43R83200A/16160A achieves high speed clock

rate up to 166 MHz .

FEATURES

- Vdd=Vddq=2.5V ꢀ.2V ꢁpowe ꢂsꢁꢁꢃl ꢄpe -ꢅ6-ꢆ5.

- Double data rate architecture ; two data transfers per clock cycle.

- Bidirectional, data strob (DQS) is transmitted/received with data

- Differential clock input (CLK and /CLK)

- DLL aligns DQ and DQS transitions with CLK transitions edges of DQS

- Commands entered on each positive CLK edge ;

- Data and data mask referenced to both edges of DQS

- 4 bank operation controlled by BA0 , BA1 (Bank Address)

- /CAS latency - 2.0 / 2.5/ 3 (programmable) ;

Burst length - 2 / 4 / 8 (programmable)

Burst type - Sequential / Interleave (programmable)

- Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

- 8192 refresh cycles / 64ms (4 banks concurrent refresh)

- Auto refresh and Self refresh

- Row address A0-12 / Column address A0-9(x8)

/A0-8(x16)

- SSTL_2 Interface

- Package

400-mil, 66-pin Thin Small Outline Package (TSOP II)

with 0.65mm lead pitch

- JEDEC standard for -6 , -75

- Lwad-ꢄeww avaiꢃabꢃw

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. A

05/13/05

12 3 4 5 6 7...36

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IS43R83200B-5T	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
IS43R83200B-5TL	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R83200B-5TLI	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R83200B-5TLI-TR	ISSI	获取价格	暂无描述
IS43R83200B-5TL-TR	ISSI	获取价格	DRAM
IS43R83200B-6T	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
IS43R83200B-6TL	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R83200B-6TLI	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R83200B-6TL-TR	ISSI	获取价格	DRAM

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