是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSSOP66,.46 | 针数: | 66 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.24 | 风险等级: | 5.15 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 22.22 mm |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 66 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSSOP66,.46 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 2,4,8 |
最大待机电流: | 0.03 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.29 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS43R83200B-5TLI-TR | ISSI |
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暂无描述 | |
IS43R83200B-5TL-TR | ISSI |
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DRAM | |
IS43R83200B-6T | ISSI |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 | |
IS43R83200B-6TL | ISSI |
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32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM | |
IS43R83200B-6TLI | ISSI |
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32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM | |
IS43R83200B-6TL-TR | ISSI |
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DRAM | |
IS43R83200B-75T | ISSI |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 | |
IS43R83200D | ISSI |
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8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM | |
IS43R83200D-4BL | ISSI |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM , 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE | |
IS43R83200D-4TL-TR | ISSI |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66 |