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IS43R83200B-75T

更新时间： 2024-10-27 21:19:31

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美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
38页	559K
描述
DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66

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IS43R83200B-75T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46	针数：	66
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.75
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.02 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IS43R83200B-75T 数据手册

IS43R83200B

IS43R16160B

PRELIMINARY INFORMATION

JUNE 2007

DESCRIPTION:

FEATURES:

IS43R83200B is a 4-bank x 8,388,608-word x8bit,

IS43R16160B is a 4-bank x 4,194,304-word x 16bit

doubledata rate synchronous DRAM , with SSTL_2

interface. All control and address signals are referenced

to the risingedge of CLK. Input data is registered on both

edges of data strobe,and output data and data strobe are

referenced onboth edges of CLK. The device achieves

very high speed clockrate up to 200 MHz.

-Vdd=Vddq=2.5V+0.2V(-6,-75)

-Vdd=Vddq=2.6V+0.1V(-5)

-Double data rate architecture ; two data transfers per

clock cycle.

-Bidirectional , data strobe(DQS) is transmitted/received

with data

-Differential clock input (CLK and /CLK)

-DLL aligns DQ and DQS transitions with CLK transitions

edgesofDQS

-Commands entered on eachpositive CLK edge ;

-Data and data mask referenced to both edges of DQS

-4 bank operation controlled by BA0 , BA1

(BankAddress)

-/CAS latency -2.0 / 2.5 / 3.0 (programmable) ;

Burst length -2 / 4 / 8 (programmable)

Bursttype-Sequential/Interleave(programmable)

-Auto precharge/ All bank prechargecontrolled by A10

-8192 refresh cycles / 64ms (4 banks concurrent refresh)

-Auto refresh and Self refresh

-Row address A0-12 / Column address A0-9(x8)/

A0-8(x16)

-SSTL_2Interface

-Package 400-mil, 66-pin Thin Small Outline Package

(TSOP II) with 0.65mm lead pitch

-JEDEC standard for -6 , -75

-Intel standard for -5

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc.

Rev. 00B

06/14/07

12 3 4 5 6 7...38

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IS43R83200D-4TL-TR	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66
IS43R83200D-5BLI	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM , 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE
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IS43R83200D-6BLI-TR	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60
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