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IS43R32800D-6BLI

更新时间： 2024-10-27 11:59:15

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
32页	1097K
描述
8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM

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IS43R32800D-6BLI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA144,12X12,32
针数：	144	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.39	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B144
长度：	12 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA144,12X12,32	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.4 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.405 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

IS43R32800D-6BLI 数据手册

IS43R83200D

IS43/46R16160D, IS43/46R32800D

8Mx32,ꢀ16Mx16,ꢀ32Mx8ꢀ

256MbꢀDDRꢀSDRAM

JUNEꢀ2012

ꢀ

FEATURES

DEVICEꢀOVERVIEW

•ꢀ VDDꢀandꢀVDDQ:ꢀ2.5Vꢀ ꢀ0.2Vꢀ

•ꢀ SSTL_2ꢀcompatibleꢀI/O

•ꢀ Double-dataꢀrateꢀarchitecture;ꢀtwoꢀdataꢀtransfersꢀ

perꢀclockꢀcycle

•ꢀ Bidirectional,ꢀdataꢀstrobeꢀ(DQS)ꢀisꢀtransmitted/

receivedꢀwithꢀdata,ꢀtoꢀbeꢀusedꢀinꢀcapturingꢀdataꢀ

atꢀtheꢀreceiver

•ꢀ DQSꢀisꢀedge-alignedꢀwithꢀdataꢀforꢀREADsꢀandꢀ

centre-alignedꢀwithꢀdataꢀforꢀWRITEs

•ꢀ Differentialꢀclockꢀinputsꢀ(CKꢀandꢀCK)

•ꢀ DLLꢀalignsꢀDQꢀandꢀDQSꢀtransitionsꢀwithꢀCKꢀ

transitions

•ꢀ CommandsꢀenteredꢀonꢀeachꢀpositiveꢀCKꢀedge;ꢀdataꢀ

andꢀdataꢀmaskꢀreferencedꢀtoꢀbothꢀedgesꢀofꢀDQS

•ꢀ Fourꢀinternalꢀbanksꢀforꢀconcurrentꢀoperation

ISSI’sꢀ256-MbitꢀDDRꢀSDRAMꢀachievesꢀhighꢀspeedꢀdataꢀ

transferꢀusingꢀpipelineꢀarchitectureꢀandꢀtwoꢀdataꢀwordꢀ

accessesꢀperꢀclockꢀcycle.ꢀTheꢀ268,435,456-bitꢀmemoryꢀ

arrayꢀisꢀinternallyꢀorganizedꢀasꢀfourꢀbanksꢀofꢀ64Mbꢀtoꢀ

allowꢀconcurrentꢀoperations.ꢀTheꢀpipelineꢀallowsꢀReadꢀ

andꢀWriteꢀburstꢀaccessesꢀtoꢀbeꢀvirtuallyꢀcontinuous,ꢀwithꢀ

theꢀoptionꢀtoꢀconcatenateꢀorꢀtruncateꢀtheꢀbursts.ꢀTheꢀ

programmableꢀfeaturesꢀofꢀburstꢀlength,ꢀburstꢀsequenceꢀ

andꢀCASꢀlatencyꢀenableꢀfurtherꢀadvantages.ꢀTheꢀdeviceꢀ

isꢀavailableꢀinꢀ8-bit,ꢀ16-bitꢀandꢀ32-bitꢀdataꢀwordꢀsizeꢀ

InputꢀdataꢀisꢀregisteredꢀonꢀtheꢀI/Oꢀpinsꢀonꢀbothꢀedgesꢀ

ofꢀDataꢀStrobeꢀsignal(s),ꢀwhileꢀoutputꢀdataꢀisꢀreferencedꢀ

toꢀbothꢀedgesꢀofꢀDataꢀStrobeꢀandꢀbothꢀedgesꢀofꢀCLK.ꢀ

CommandsꢀareꢀregisteredꢀonꢀtheꢀpositiveꢀedgesꢀofꢀCLK.ꢀ

AnꢀAutoꢀRefreshꢀmodeꢀisꢀprovided,ꢀalongꢀwithꢀaꢀSelfꢀ

Refreshꢀmode.ꢀAllꢀI/OsꢀareꢀSSTL_2ꢀcompatible.

•ꢀ DataꢀMaskꢀforꢀwriteꢀdata.ꢀDMꢀmasksꢀwriteꢀdataꢀ

atꢀbothꢀrisingꢀandꢀfallingꢀedgesꢀofꢀdataꢀstrobe

ADDRESSꢀTABLE

Parameter

8Mꢀxꢀ32

16Mꢀxꢀ16

32Mꢀxꢀ8

•ꢀ BurstꢀLength:ꢀ2,ꢀ4ꢀandꢀ8

•ꢀ BurstꢀType:ꢀSequentialꢀandꢀInterleaveꢀmode

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatency:ꢀ2,ꢀ2.5ꢀandꢀ3ꢀ

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀandꢀSelfꢀRefreshꢀModes

•ꢀ AutoꢀPrecharge

Conﬁguration 2Mꢀxꢀ32ꢀxꢀ4ꢀ

banks

4Mꢀxꢀ16ꢀxꢀ4ꢀꢀ 8Mꢀxꢀ8ꢀxꢀ4ꢀꢀ

banks

BankꢀAddressꢀ BA0,ꢀBA1

Pins

BA0,ꢀBA1

Autoprechargeꢀ A8/AP

Pins

A10/AP

•ꢀ TRASꢀLockoutꢀsupportedꢀ(tRAPꢀ=ꢀtRCD)

RowꢀAddress 4K(A0ꢀ–ꢀA11) 8K(A0ꢀ–ꢀA12) 8K(A0ꢀ–ꢀA12)

OPTIONS

Columnꢀ

Address

512(A0ꢀ–ꢀA7,ꢀ 512(A0ꢀ–ꢀA8) 1K(A0ꢀ–ꢀA9)

A9)

•ꢀ Conﬁguration(s):ꢀ8Mx32,ꢀ16Mx16,ꢀ32Mx8

•ꢀ Package(s):ꢀ

ꢀ 144ꢀBallꢀBGAꢀ(x32)

RefreshꢀCountꢀ

ꢀ

Com./Ind./A1ꢀ 4Kꢀ/ꢀ64msꢀ

A2 4Kꢀ/ꢀ16ms

8Kꢀ/ꢀ64msꢀ

8Kꢀ/ꢀ16ms

8Kꢀ/ꢀ64ms

ꢀ

66-pinꢀTSOP-IIꢀ(x8,ꢀx16)ꢀandꢀ60ꢀBallꢀBGAꢀ(x8,ꢀx16)

•ꢀ Lead-freeꢀpackageꢀavailable

•ꢀ TemperatureꢀRange:ꢀ

ꢀ Commercialꢀ(0°Cꢀtoꢀ+70°C)

KEYꢀTIMINGꢀPARAMETERS

SpeedꢀGradeꢀ

-5ꢀ

-6ꢀ

ꢀUnitsꢀ

ꢀ

ꢀ Industrialꢀ(-40°Cꢀtoꢀ+85°C)ꢀ

Automotive,ꢀA1ꢀ(-40°Cꢀtoꢀ+85°C)ꢀ

Automotive,ꢀA2ꢀ(-40°Cꢀtoꢀ+105°C)

ꢀ

CkꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ3ꢀ

CkꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ2.5ꢀ

CkꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ2ꢀ

200ꢀ

133ꢀ

167ꢀ

133ꢀ

ꢀ MHz

notice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀlat-

estꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspeciﬁcationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.ꢀꢀ

IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreason-

ablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsigniﬁcantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀ

unlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:

a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;

b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand

c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. ꢀ

Rev.ꢀ B

06/19/2012

12 3 4 5 6 7...32

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与IS43R32800D-6BLI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS43R32800D-6BL-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA
IS43R32800F	ISSI	获取价格	Auto Precharge
IS43R83200A-75T	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
IS43R83200B	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R83200B-5T	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
IS43R83200B-5TL	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R83200B-5TLI	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R83200B-5TLI-TR	ISSI	获取价格	暂无描述
IS43R83200B-5TL-TR	ISSI	获取价格	DRAM
IS43R83200B-6T	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66

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