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IS43R32800D-6BL

更新时间： 2024-10-27 11:59:15

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
32页	1097K
描述
8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM

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IS43R32800D-6BL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA144,12X12,32
针数：	144	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	5.53
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B144	长度：	12 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA144,12X12,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.4 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.3 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.405 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

IS43R32800D-6BL 数据手册

IS43R83200D

IS43/46R16160D, IS43/46R32800D

8Mx32,ꢀ16Mx16,ꢀ32Mx8ꢀ

256MbꢀDDRꢀSDRAM

JUNEꢀ2012

ꢀ

FEATURES

DEVICEꢀOVERVIEW

•ꢀ VDDꢀandꢀVDDQ:ꢀ2.5Vꢀ ꢀ0.2Vꢀ

•ꢀ SSTL_2ꢀcompatibleꢀI/O

•ꢀ Double-dataꢀrateꢀarchitecture;ꢀtwoꢀdataꢀtransfersꢀ

perꢀclockꢀcycle

•ꢀ Bidirectional,ꢀdataꢀstrobeꢀ(DQS)ꢀisꢀtransmitted/

receivedꢀwithꢀdata,ꢀtoꢀbeꢀusedꢀinꢀcapturingꢀdataꢀ

atꢀtheꢀreceiver

•ꢀ DQSꢀisꢀedge-alignedꢀwithꢀdataꢀforꢀREADsꢀandꢀ

centre-alignedꢀwithꢀdataꢀforꢀWRITEs

•ꢀ Differentialꢀclockꢀinputsꢀ(CKꢀandꢀCK)

•ꢀ DLLꢀalignsꢀDQꢀandꢀDQSꢀtransitionsꢀwithꢀCKꢀ

transitions

•ꢀ CommandsꢀenteredꢀonꢀeachꢀpositiveꢀCKꢀedge;ꢀdataꢀ

andꢀdataꢀmaskꢀreferencedꢀtoꢀbothꢀedgesꢀofꢀDQS

•ꢀ Fourꢀinternalꢀbanksꢀforꢀconcurrentꢀoperation

ISSI’sꢀ256-MbitꢀDDRꢀSDRAMꢀachievesꢀhighꢀspeedꢀdataꢀ

transferꢀusingꢀpipelineꢀarchitectureꢀandꢀtwoꢀdataꢀwordꢀ

accessesꢀperꢀclockꢀcycle.ꢀTheꢀ268,435,456-bitꢀmemoryꢀ

arrayꢀisꢀinternallyꢀorganizedꢀasꢀfourꢀbanksꢀofꢀ64Mbꢀtoꢀ

allowꢀconcurrentꢀoperations.ꢀTheꢀpipelineꢀallowsꢀReadꢀ

andꢀWriteꢀburstꢀaccessesꢀtoꢀbeꢀvirtuallyꢀcontinuous,ꢀwithꢀ

theꢀoptionꢀtoꢀconcatenateꢀorꢀtruncateꢀtheꢀbursts.ꢀTheꢀ

programmableꢀfeaturesꢀofꢀburstꢀlength,ꢀburstꢀsequenceꢀ

andꢀCASꢀlatencyꢀenableꢀfurtherꢀadvantages.ꢀTheꢀdeviceꢀ

isꢀavailableꢀinꢀ8-bit,ꢀ16-bitꢀandꢀ32-bitꢀdataꢀwordꢀsizeꢀ

InputꢀdataꢀisꢀregisteredꢀonꢀtheꢀI/Oꢀpinsꢀonꢀbothꢀedgesꢀ

ofꢀDataꢀStrobeꢀsignal(s),ꢀwhileꢀoutputꢀdataꢀisꢀreferencedꢀ

toꢀbothꢀedgesꢀofꢀDataꢀStrobeꢀandꢀbothꢀedgesꢀofꢀCLK.ꢀ

CommandsꢀareꢀregisteredꢀonꢀtheꢀpositiveꢀedgesꢀofꢀCLK.ꢀ

AnꢀAutoꢀRefreshꢀmodeꢀisꢀprovided,ꢀalongꢀwithꢀaꢀSelfꢀ

Refreshꢀmode.ꢀAllꢀI/OsꢀareꢀSSTL_2ꢀcompatible.

•ꢀ DataꢀMaskꢀforꢀwriteꢀdata.ꢀDMꢀmasksꢀwriteꢀdataꢀ

atꢀbothꢀrisingꢀandꢀfallingꢀedgesꢀofꢀdataꢀstrobe

ADDRESSꢀTABLE

Parameter

8Mꢀxꢀ32

16Mꢀxꢀ16

32Mꢀxꢀ8

•ꢀ BurstꢀLength:ꢀ2,ꢀ4ꢀandꢀ8

•ꢀ BurstꢀType:ꢀSequentialꢀandꢀInterleaveꢀmode

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatency:ꢀ2,ꢀ2.5ꢀandꢀ3ꢀ

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀandꢀSelfꢀRefreshꢀModes

•ꢀ AutoꢀPrecharge

Conﬁguration 2Mꢀxꢀ32ꢀxꢀ4ꢀ

banks

4Mꢀxꢀ16ꢀxꢀ4ꢀꢀ 8Mꢀxꢀ8ꢀxꢀ4ꢀꢀ

banks

BankꢀAddressꢀ BA0,ꢀBA1

Pins

BA0,ꢀBA1

Autoprechargeꢀ A8/AP

Pins

A10/AP

•ꢀ TRASꢀLockoutꢀsupportedꢀ(tRAPꢀ=ꢀtRCD)

RowꢀAddress 4K(A0ꢀ–ꢀA11) 8K(A0ꢀ–ꢀA12) 8K(A0ꢀ–ꢀA12)

OPTIONS

Columnꢀ

Address

512(A0ꢀ–ꢀA7,ꢀ 512(A0ꢀ–ꢀA8) 1K(A0ꢀ–ꢀA9)

A9)

•ꢀ Conﬁguration(s):ꢀ8Mx32,ꢀ16Mx16,ꢀ32Mx8

•ꢀ Package(s):ꢀ

ꢀ 144ꢀBallꢀBGAꢀ(x32)

RefreshꢀCountꢀ

ꢀ

Com./Ind./A1ꢀ 4Kꢀ/ꢀ64msꢀ

A2 4Kꢀ/ꢀ16ms

8Kꢀ/ꢀ64msꢀ

8Kꢀ/ꢀ16ms

8Kꢀ/ꢀ64ms

ꢀ

66-pinꢀTSOP-IIꢀ(x8,ꢀx16)ꢀandꢀ60ꢀBallꢀBGAꢀ(x8,ꢀx16)

•ꢀ Lead-freeꢀpackageꢀavailable

•ꢀ TemperatureꢀRange:ꢀ

ꢀ Commercialꢀ(0°Cꢀtoꢀ+70°C)

KEYꢀTIMINGꢀPARAMETERS

SpeedꢀGradeꢀ

-5ꢀ

-6ꢀ

ꢀUnitsꢀ

ꢀ

ꢀ Industrialꢀ(-40°Cꢀtoꢀ+85°C)ꢀ

Automotive,ꢀA1ꢀ(-40°Cꢀtoꢀ+85°C)ꢀ

Automotive,ꢀA2ꢀ(-40°Cꢀtoꢀ+105°C)

ꢀ

CkꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ3ꢀ

CkꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ2.5ꢀ

CkꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ2ꢀ

200ꢀ

133ꢀ

167ꢀ

133ꢀ

ꢀ MHz

notice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀlat-

estꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspeciﬁcationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.ꢀꢀ

IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreason-

ablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsigniﬁcantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀ

unlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:

a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;

b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand

c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. ꢀ

Rev.ꢀ B

06/19/2012

12 3 4 5 6 7...32

中文翻译

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IS43R32800D-6BL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS43R32800D-5BLI	ISSI	类似代替	8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM
IS43R32800D-5BL	ISSI	类似代替	8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM
IS43R32800B-5BL	ISSI	功能相似	Differential clock input

与IS43R32800D-6BL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS43R32800D-6BLI	ISSI	获取价格	8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM
IS43R32800D-6BL-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA
IS43R32800F	ISSI	获取价格	Auto Precharge
IS43R83200A-75T	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
IS43R83200B	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R83200B-5T	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
IS43R83200B-5TL	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R83200B-5TLI	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R83200B-5TLI-TR	ISSI	获取价格	暂无描述
IS43R83200B-5TL-TR	ISSI	获取价格	DRAM

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