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IS42R32160D-6BLI-TR

更新时间： 2024-02-19 20:15:11

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
66页	1332K
描述
Cache DRAM Module, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-207, FBGA-90

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IS42R32160D-6BLI-TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TFBGA, BGA90,9X15,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	JESD-609代码：	e3
长度：	13 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	CACHE DRAM MODULE	内存宽度：	32
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA90,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

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IS42/45R86400D/16320D/32160D

IS42/45S86400D/16320D/32160D

16Mx32, 32Mx16, 64Mx8

512Mb SdRAM

PRELiMiNARY iNFORMATiON

JUNE 2011

PAcKAGE iNFORMATiON

FEATURES

iS42/45S32160d iS42/45S16320d iS42/45S86400d

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ200,ꢀ166,ꢀ143ꢀꢀMHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positiveꢀclockꢀedge

iS42/45R32160d iS42/45R16320d iS42/45R86400d

4Mꢀxꢀ32ꢀxꢀ4ꢀ

banks

8Mꢀxꢀ16ꢀxꢀ4ꢀꢀ

banks

16Mꢀxꢀ8ꢀxꢀ4ꢀꢀ

banks

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ Powerꢀsupply:ꢀV^dd/Vddq = 2.3V-3.6V

ꢀ IS42/45SxxxxxDꢀ-ꢀVdd/Vddq = 3.3Vꢀ

ꢀ IS42/45RxxxxxDꢀ-ꢀV^dd/Vddq = 2.5ꢀꢀꢀ

•ꢀ LVTTLꢀinterface

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀꢀ

–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀꢀ

Sequential/Interleaveꢀ

90-ballꢀTF-BGA

54-pinꢀTSOP-II

54-ballꢀTF-BGA

54-pinꢀTSOP-II

KEY TiMiNG PARAMETERS

Parameter

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

-5

-6

-7

ꢀ

7ꢀ

7.5ꢀ

Unꢀt

ꢀ

nsꢀ

ꢀꢀ

5ꢀ

10ꢀ

ꢀ

6ꢀ

10ꢀ

ClkꢀFrequencyꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

ꢀꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

200ꢀ

100ꢀ

ꢀ

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)

•ꢀ SelfꢀRefresh

167ꢀ

100ꢀ

143ꢀ

133ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

•ꢀ 8Kꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ64ꢀms

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)

5.0ꢀ

6ꢀ

5.4ꢀ

6ꢀ

5.4ꢀ

nsꢀ

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀꢀ

operationsꢀcapability

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

command

AddRESS TABLE

Parameter

16M x 32

32M x 16

64M x 8

Conﬁguration 4Mꢀxꢀ32ꢀxꢀ4ꢀ

8Mꢀxꢀ16ꢀxꢀ4ꢀꢀ 16Mꢀxꢀ8ꢀxꢀ4ꢀꢀ

banks

•ꢀ Packages:ꢀꢀ

banks

BankꢀAddressꢀ BA0,ꢀBA1

Pins

banks

x8/x16:ꢀ54-pinꢀTF-TSOP-II,ꢀ54-ballꢀTF-BGAꢀ(x16ꢀonly)

x32:ꢀ90-ballꢀTF-BGA

BA0,ꢀBA1

•ꢀ TemperatureꢀRange:ꢀ

Autoprechargeꢀ A10/AP

Pins

A10/AP

Commercialꢀ(0^oCꢀtoꢀ+70^oC)

Industrialꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+85^oC)

Automotive,ꢀA1ꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+85^oC)

RowꢀAddress 8K(A0ꢀ–ꢀA12) 8K(A0ꢀ–ꢀA12) 8K(A0ꢀ–ꢀA12)

Columnꢀ

512(A0ꢀ–ꢀA8) 1K(A0ꢀ–ꢀA9)

2K(A0ꢀ–ꢀA9,ꢀ

A11)

Automotive,ꢀA2ꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+105^oC)

Address

RefreshꢀCountꢀ

ꢀ

Com./Ind./A1ꢀ 8Kꢀ/ꢀ64msꢀ

A2 8Kꢀ/ꢀ16ms

8Kꢀ/ꢀ64msꢀ

8Kꢀ/ꢀ16ms

8Kꢀ/ꢀ64msꢀ

8Kꢀ/ꢀ16ms

dEvicE OvERviEW

ISSI'sꢀ512MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ

dataꢀtransferꢀusingꢀpipelineꢀarchitecture.ꢀꢀAllꢀinputsꢀandꢀ

outputsꢀsignalsꢀreferꢀꢀtoꢀtheꢀrisingꢀedgeꢀofꢀtheꢀclockꢀinput.ꢀ

Theꢀ512MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ

outꢀnotice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀ

theꢀlatestꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspeciﬁcationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.ꢀꢀ

IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀ

reasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsigniﬁcantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀap-

plicationsꢀunlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:

a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;

b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand

c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.comꢀ

Rev.ꢀ00B

06/09/2011

12 3 4 5 6 7...66

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42R32160D-7BL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-2
IS42R32160D-7BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-2
IS42R32160D-7BLI-TR	ISSI	获取价格	Cache DRAM Module, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-
IS42R32160D-7BL-TR	ISSI	获取价格	Cache DRAM Module, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-
IS42R32160F	ISSI	获取价格	8K refresh cycles every 64 ms
IS42R32160F-6BL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207
IS42R32160F-6BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207
IS42R32160F-7BL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207
IS42R32160F-7BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207
IS42R32200C1-75T	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 6.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86

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