是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSSOP86,.46,20 | 针数: | 86 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 6.5 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G86 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 22.22 mm | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 32 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 86 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2MX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSSOP86,.46,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.002 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS42R32200C1-75TLI | ISSI |
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Synchronous DRAM, 2MX32, 6.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86 | |
IS42R83200D | ISSI |
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256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM | |
IS42R83200D-75TL | ISSI |
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Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 | |
IS42R83200D-75TLI | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 | |
IS42R83200J-75BL | ISSI |
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Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PBGA54, TFBGA-54 | |
IS42R83200J-75BLI | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PBGA54, TFBGA-54 | |
IS42R83200J-75TL | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | |
IS42R83200J-75TLI | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | |
IS42R86400D | ISSI |
获取价格 |
Internal bank for hiding row access/precharge | |
IS42R86400F | ISSI |
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8K refresh cycles every 64 ms |