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IS42R83200D-75TL

更新时间： 2024-01-19 14:21:30

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
62页	1114K
描述
Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

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IS42R83200D-75TL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.39
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e3
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IS42R83200D-75TL 数据手册

IS42R83200D, IS42R16160D

IS45R83200D, IS45R16160D

32Meg x 8, 16Meg x16

256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

MARCH 2010

OVERVIEW

FEATURES

ISSI'sꢀ256MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ

data transfer using pipeline architecture. All inputs and

outputs signals refer to the rising edge of the clock input.

Theꢀ256MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ133,ꢀ100ꢀꢀMHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positive clock edge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ SingleꢀPowerꢀsupply:ꢀ2.5Vꢀ+ꢀ0.2Vꢀ

•ꢀ LVTTLꢀinterface

IS42/45R83200Dꢀ IS42/45R16160Dꢀ

8Mꢀxꢀ8ꢀxꢀ4ꢀBanksꢀ 4Mꢀx16x4ꢀBanksꢀ

54-pinꢀTSOPIIꢀ

54-pinꢀTSOPII

54-ballꢀBGAꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ

ꢀ

ꢀ ꢀ

– (1, 2, 4, 8, full page)

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ

Sequential/Interleaveꢀ

KEY TIMING PARAMETERS

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)

•ꢀ SelfꢀRefresh

Parameter

-75

Unit

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

ꢀ

•ꢀ 8Kꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ16ꢀmsꢀ(A2ꢀgrade)ꢀorꢀ

7.5ꢀ

10ꢀ

nsꢀ

64 ms (commercial, industrial, A1 grade)

ClkꢀFrequencyꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

ꢀ

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

133ꢀ

100ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

•ꢀ ProgrammableꢀCAS latency (2, 3 clocks)

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

5.4ꢀ

6ꢀ

nsꢀ

operations capability

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

command

OPTIONS

•ꢀ Package:

ADDRESS TABLE

Parameter

32M x 8

16M x 16

54-pinꢀTSOP-IIꢀ(x8ꢀandꢀx16)

54-ballꢀBGAꢀ(x16ꢀonly)

Conﬁguration

8M x 8 x 4

banks

4M x 16 x 4

banks

•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange:

Commercial (0^oC to +70^oC)

Refresh Count

Com./Ind. 8K/64ms

A1 8K/64ms

8K/64ms

8K/16ms

Industrial (-40^oCꢀtoꢀ+85^oC)

AutomotiveꢀGradeꢀA1ꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+85^oC)

AutomotiveꢀGradeꢀA2ꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+105^oC)

A2 8K/16ms

Row Addresses

A0-A12

A0-A8

Column Addresses

Bank Address Pins

Auto Precharge Pins

A0-A9

BA0, BA1

A10/AP

BA0, BA1

A10/AP

out notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain

the latest version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. A

03/02/2010

12 3 4 5 6 7...62

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与IS42R83200D-75TL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42R83200D-75TLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54
IS42R83200J-75BL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PBGA54, TFBGA-54
IS42R83200J-75BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PBGA54, TFBGA-54
IS42R83200J-75TL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54
IS42R83200J-75TLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54
IS42R86400D	ISSI	获取价格	Internal bank for hiding row access/precharge
IS42R86400F	ISSI	获取价格	8K refresh cycles every 64 ms
IS42RM16160D-10BL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 8ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207,
IS42RM16160D-10BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 8ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207,
IS42RM16160D-10TL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54

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