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IS42RM16800E-6BLI PDF预览

IS42RM16800E-6BLI

更新时间： 2024-02-17 09:04:14
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 370K
描述
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54

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IS42RM16800E-6BLI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA54,9X9,32针数：54
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.14
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：5.4 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：166 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：1,2,4,8
JESD-30 代码：S-PBGA-B54JESD-609代码：e1
长度：8 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：1端子数量：54
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA54,9X9,32
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.000015 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.7 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10宽度：8 mm
Base Number Matches：1

IS42RM16800E-6BLI 数据手册

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IS42SM81600E / IS42SM16800E / IS42SM32400E  
IS42RM81600E / IS42RM16800E / IS42RM32400E  
16Mx8, 8Mx16, 4Mx32  
128Mb Mobile Synchronous DRAM  
APRIL 2011  
DESCRIPTION  
FEATURES  
ISSI'sꢀ128MbꢀMobileꢀSynchronousꢀDRAMꢀachievesꢀhigh-  
speedꢀdataꢀtransferꢀusingꢀpipelineꢀarchitecture.ꢀAllꢀinputꢀ  
andꢀoutputꢀsignalsꢀreferꢀtoꢀtheꢀrisingꢀedgeꢀofꢀtheꢀclockꢀ  
input.ꢀBothꢀwriteꢀandꢀreadꢀaccessesꢀtoꢀtheꢀSDRAMꢀareꢀ  
burstꢀoriented.ꢀTheꢀ128MbꢀMobileꢀSynchronousꢀDRAMꢀ  
isꢀdesignedꢀtoꢀminimizeꢀcurrentꢀconsumptionꢀmakingꢀitꢀ  
idealꢀforꢀlow-powerꢀapplications.ꢀꢀꢀBothꢀTSOPꢀandꢀBGAꢀ  
packagesꢀareꢀoffered,ꢀincludingꢀindustrialꢀgradeꢀproducts.  
•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀpositiveꢀ  
clockꢀedge  
•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccessꢀandꢀprecharge  
•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatency:ꢀ2,ꢀ3  
•ꢀ ProgrammableꢀBurstꢀLength:ꢀ1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀandꢀFullꢀPage  
•ꢀ ProgrammableꢀBurstꢀSequence:  
•ꢀ SequentialꢀandꢀInterleave  
•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)  
•ꢀ TCSRꢀ(TemperatureꢀCompensatedꢀSelfꢀRefresh)ꢀ  
KEY TIMING PARAMETERS  
•ꢀ PASRꢀ(PartialꢀArraysꢀSelfꢀRefresh):ꢀ1/16,ꢀ1/8,ꢀ1/4,ꢀ1/2,ꢀ  
andꢀFullꢀ  
Parameter  
-6  
-7  
-75E  
Unit  
CLKꢀCycleꢀTime  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2  
CLKꢀFrequency  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2  
AccessꢀTimeꢀfromꢀCLK  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2  
•ꢀ DeepꢀPowerꢀDownꢀModeꢀ(DPD)  
6
7
ns  
ns  
–
•ꢀ DriverꢀStrengthꢀControlꢀ(DS):ꢀ1/4,ꢀ1/2,ꢀandꢀFull  
10  
10  
7.5  
OPTIONS  
•ꢀ Configurations:ꢀ  
-ꢀ16Mꢀxꢀ8ꢀꢀ  
166  
100  
143  
100  
Mhz  
Mhz  
–
133  
-ꢀ8Mꢀxꢀ16ꢀ  
-ꢀ4Mꢀxꢀ32ꢀꢀ  
5.4  
8
5.4  
8
ns  
ns  
–
•ꢀ PowerꢀSupplyꢀꢀ  
5.4  
IS42SMxxxꢀ–ꢀVdd/Vddqꢀ=ꢀ3.3ꢀVꢀ  
IS42RMxxxꢀ –ꢀVdd/Vddqꢀ=ꢀ2.5ꢀVꢀ  
•ꢀ Packages:ꢀ  
x8ꢀ/ꢀx16ꢀ–TSOPꢀIIꢀ(54),ꢀBGAꢀ(54)ꢀ[x16ꢀonly]ꢀ  
x32ꢀ–ꢀTSOPꢀIIꢀ(86),ꢀꢀBGAꢀ(90)  
•ꢀ TemperatureꢀRange:ꢀꢀ  
Commercialꢀ(0°Cꢀtoꢀ+70°C)ꢀꢀ  
Industrialꢀ(–40ꢀºCꢀtoꢀ85ꢀºC)  
ADDRESSING TABLE  
Parameter  
16M x 8  
4Mꢀxꢀ8ꢀxꢀ4ꢀbanks  
4K/64ms  
A0-A11  
8M x 16  
2Mꢀxꢀ16ꢀxꢀ4ꢀbanks  
4K/64ms  
A0-A11  
4M x 32  
Configuration  
1Mꢀxꢀ32ꢀxꢀ4ꢀbanks  
4K/64ms  
A0-A11  
RefreshꢀCount  
RowꢀꢀAddressing  
ColumnꢀAddressing  
BankꢀAddressing  
PrechargeꢀAddressing  
A0-A9  
A0-A8  
A0-A7  
BA0,ꢀBA1  
A10  
BA0,ꢀBA1  
A10  
BA0,ꢀBA1  
A10  
Copyrightꢀ©ꢀ2011ꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀꢀAllꢀrightsꢀreserved.ꢀꢀISSIꢀreservesꢀtheꢀrightꢀtoꢀmakeꢀchangesꢀtoꢀthisꢀspecificationꢀandꢀitsꢀproductsꢀatꢀanyꢀtimeꢀwithoutꢀnotice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀ  
liabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀlatestꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspecificationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀ  
anyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.ꢀꢀ  
IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀex-  
pectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsignificantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀunlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀ  
Solution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:  
a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;  
b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand  
c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstances  
Integrated Silicon Solution, Inc. - www.issi.comꢀ  
1
Rev. B  
04/15/2011  
1234567...25

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