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IS42RM32400F-75BLI

更新时间： 2024-02-01 13:20:46

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
27页	451K
描述
All pins are compatible with LVCMOS interface

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IS42RM32400F-75BLI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DSBGA
包装说明：	TFBGA, BGA90,9X15,32	针数：	90
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.69
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA90,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

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IS42RM32400F

1M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

Description

These IS42RM32400F are mobile 134,217,728 bits CMOS Synchronous DRAM organized as 4 banks of 1,048,576 words x 32 bits. These

products are offering fully synchronous operation and are referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are

synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve high bandwidth. All input and

output voltage levels are compatible with LVCMOS.

Features

JEDEC standard 2.5V power supply.

• Auto refresh and self refresh.

• All inputs and outputs referenced to the positive edge of the

system clock.

• All pins are compatible with LVCMOS interface.

• 4K refresh cycle / 64ms.

• Data mask function by DQM.

• Internal

4 banks operation.

• Programmable Burst Length and Burst Type.

- 1, 2, 4, 8 or Full Page for Sequential Burst.

- 4 or 8 for Interleave Burst.

• Burst Read Single Write operation.

• Special Function Support.

- PASR(Partial Array Self Refresh)

• Programmable CAS Latency : 2,3 clocks.

• Programmable Driver Strength Control

- Full Strength or 1/2, 1/4 of Full Strength

• Deep Power Down Mode.

- Auto TCSR(Temperature Compensated Self Refresh)

• Automatic precharge, includes CONCURRENT Auto Precharge

Mode and controlled Precharge.

products at any time without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services

described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on any published information

and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or

malfunction of the product can reasonably be expected to cause failure of the life support system or to significantly affect its safety or

effectiveness. Products are not authorized for use in such applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to

its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

www.issi.com - DRAM@issi.com

Rev. A | July 2010

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IS42RM32400G-75BLI-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
IS42RM32400H-6BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90
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IS42RM32800D-10BL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 8ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, MO-207, FBGA-90
IS42RM32800D-10BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 8ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, MO-207, FBGA-90
IS42RM32800D-10TL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 8ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86
IS42RM32800D-10TLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 8ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86

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