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IS42RM32800D-75TL PDF预览

IS42RM32800D-75TL

更新时间： 2024-11-13 20:40:39
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 459K
描述
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86

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IS42RM32800D-75TL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSSOP86,.46,20针数：86
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.24风险等级：5.73
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：5.4 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：1,2,4,8
JESD-30 代码：R-PDSO-G86JESD-609代码：e3
长度：22.22 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：32
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：1端子数量：86
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX32
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSSOP86,.46,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.00002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.7 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IS42RM32800D-75TL 数据手册

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IS42SM83200D / IS42SM16160D / IS42SM32800D  
IS42RM83200D / IS42RM16160D / IS42RM32800D  
32Mx8, 16Mx16, 8Mx32  
256Mb Mobile Synchronous DRAM  
Preliminary Information  
JULY 2009  
DESCRIPTION  
FEATURES  
ISSI's 256Mb Mobile Synchronous DRAM achieves high-  
speed data transfer using pipeline architecture. All input  
and output signals refer to the rising edge of the clock  
input. Both write and read accesses to the SDRAM are  
burst oriented. The 256Mb Mobile Synchronous DRAM  
is designed to minimize current consumption making it  
ideal for low-power applications. Both TSOP and BGA  
packages are offered, including industrial grade products.  
•ꢀ Fully synchronous; all signals referenced to a  
positive clock edge  
•ꢀ Internal bank for hiding row access and pre-  
charge  
•ꢀ Programmable CAS latency: 2, 3  
•ꢀ Programmable Burst Length: 1, 2, 4, 8, and Full  
Page  
•ꢀ Programmable Burst Sequence:  
•ꢀ Sequential and Interleave  
•ꢀ Auto Refresh (CBR)  
KEY TIMING PARAMETERS  
Parameter  
-71  
-752  
-10  
Unit  
•ꢀ TCSR (Temperature Compensated Self Refresh)  
CLK Cycle Time  
CAS Latency = 3  
CAS Latency = 2  
CLK Frequency  
CAS Latency = 3  
CAS Latency = 2  
Access Time from CLK  
CAS Latency = 3  
CAS Latency = 2  
•ꢀ PASR (Partial Arrays Self Refresh): 1/16, 1/8,  
1/4, 1/2, and Full  
•ꢀ Deep Power Down Mode (DPD)  
7
7.5  
9.6  
10  
12  
ns  
ns  
9.6  
•ꢀ Driver Strength Control (DS): 1/4, 1/2, and Full  
143  
104  
133  
104  
100  
83  
Mhz  
Mhz  
OPTIONS  
•ꢀ Configurations:  
- 32M x 8  
5.4  
8
5.4  
8
8
9
ns  
ns  
- 16M x 16  
- 8M x 32  
•ꢀ Power Supply  
1. Available for x8/x16 only  
2. Available for x32 only  
IS42SMxxx – Vd d /Vd d q = 3.3 V  
IS42RMxxx – Vd d /Vd d q = 2.5 V  
•ꢀ Packages:  
x8 / x16 –TSOP II (54), BGA (54) [x16 only]  
x32 – TSOP II (86), BGA (90)  
•ꢀ Temperature Range:  
Commercial (0°C to +70°C)  
Industrial (–40 ºC to 85 ºC)  
•ꢀ Die Revision: D  
ADDRESSING TABLE  
Parameter  
32M x 8  
8M x 8 x 4 banks  
8K/64ms  
A0-A12  
16M x 16  
8M x 32  
Configuration  
4M x 16 x 4 banks  
8K/64ms  
A0-A12  
2M x 32 x 4 banks  
4K/64ms  
A0-A11  
Refresh Count  
Row Addressing  
Column Addressing  
Bank Addressing  
Precharge Addressing  
A0-A9  
A0-A8  
A0-A8  
BA0, BA1  
A10  
BA0, BA1  
A10  
BA0, BA1  
A10  
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time with-  
out notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain  
the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. - www.issi.com  
Rev. 00C  
1
07/01/09  
1234567...25

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与IS42RM32800D-75TL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS42RM32800D-7BL ISSI

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 		Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, B
IS42RM32800D-7TL ISSI

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 		Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86
IS42RM32800D-7TLI ISSI

获取价格

 		Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86
IS42RM32800E-6BLI ISSI

获取价格

 		Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90
IS42RM32800E-6BLI-TR ISSI

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 		IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
IS42RM32800E-75BLI ISSI

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