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IS42S16100-6T

更新时间： 2024-01-19 09:47:16

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
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78页	740K
描述
512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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IS42S16100-6T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP50,.46,32	针数：	50
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.56
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G50	JESD-609代码：	e3
长度：	20.95 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	50
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IS42S16100-6T 数据手册

IS42S16100

ISSI

NOVEMBER 2001

512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT)

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

• Clock frequency: 166, 143, 100 MHz

ISSI’s 16Mb Synchronous DRAM IS42S16100 is

organized as a 524,288-word x 16-bit x 2-bank for

improvedperformance. ThesynchronousDRAMs

achieve high-speed data transfer using pipeline

architecture. All inputs and outputs signals refer to the

rising edge of the clock input.

• Fully synchronous; all signals referenced to a

positive clock edge

• Two banks can be operated simultaneously and

independently

• Dual internal bank controlled by A11 (bank

select)

PIN CONFIGURATIONS

50-Pin TSOP (Type II)

• Single 3.3V power supply

• LVTTL interface

VCC

I/O0

I/O1

GNDQ

I/O2

I/O3

VCCQ

I/O4

I/O5

GNDQ

I/O6

I/O7

VCCQ

LDQM

GND

I/O15

I/O14

GNDQ

I/O13

I/O12

VCCQ

I/O11

I/O10

GNDQ

I/O9

I/O8

VCCQ

• Programmable burst length

– (1, 2, 4, 8, full page)

• Programmable burst sequence:

Sequential/Interleave

• Auto refresh, self refresh

• 4096 refresh cycles every 128 ms

• Random column address every clock cycle

• Programmable CAS latency (2, 3 clocks)

UDQM

CLK

CKE

CAS

RAS

• Burst read/write and burst read/single write

operations capability

A11

A10

• Burst termination by burst stop and precharge

command

• Byte controlled by LDQM and UDQM

• Package 400-mil 50-pin TSOP II

VCC

GND

PIN DESCRIPTIONS

CAS

ColumnAddressStrobeCommand

WriteEnable

A0-A11

A0-A10

A11

Address Input

Row Address Input

Bank Select Address

Column Address Input

Data I/O

LDQM

UDQM

Vcc

Lower Bye, Input/Output Mask

Upper Bye, Input/Output Mask

Power

A0-A7

I/O0 to I/O15

CLK

GND

VccQ

GNDQ

Ground

System Clock Input

Clock Enable

Power Supply for I/O Pin

Ground for I/O Pin

NoConnection

CKE

Chip Select

RAS

RowAddressStrobeCommand

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. C

11/01/01

12 3 4 5 6 7...78

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