是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | SOP, TSSOP28,.53,22 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.4 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间: | 60 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 2048 | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.11 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.55 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS41C8200-50J | ISSI |
获取价格 |
2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C8200-50JI | ISSI |
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2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C8200-60J | ISSI |
获取价格 |
2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C8200-60JI | ISSI |
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2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C8200A-60J | ISSI |
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EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IS41C8205 | ISSI |
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2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE | |
IS41C82052-50J | ISSI |
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Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IS41C82052-50JI | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IS41C82052-50T | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, TSOP2-28 | |
IS41C82052-50TI | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, TSOP2-28 |