Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLR8256TRPBF

IRLR8256TRPBF

更新时间： 2024-09-15 05:39:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管
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11页	354K
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HEXFET Power MOSFET

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IRLR8256TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	0.72	雪崩能效等级（Eas）：	86 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	81 A
最大漏极电流 (ID)：	81 A	最大漏源导通电阻：	0.0057 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	63 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	325 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRLR8256TRPBF 数据手册

PD - 96208

IRLR8256PbF

IRLU8256PbF

Applications

HEXFET^®Power MOSFET

l High Frequency Synchronous Buck

Converters for Computer Processor Power

l High Frequency Isolated DC-DC

Converters with Synchronous Rectification

for Telecom and Industrial Use

V_DSSR_DS(on)max

5.7m

25V

10nC

Benefits

l Very Low RDS(on) at 4.5V V_GS

l Ultra-Low Gate Impedance

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D-Pak

I-Pak

l Lead-Free

IRLR8256PbF

IRLU8256PbF

l RoHS compliant

Gate

Drain

Source

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

325

Maximum Power Dissipation

@T_C= 25°C

@T_C= 100°C

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.42

-55 to + 175

W/°C

Storage Temperature Range

°C

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

2.4

Units

Junction-to-Case

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

Junction-to-Ambient

°C/W

110

ORDERING INFORMATION:

See detailed ordering and shipping information on the last page of this data sheet.

Notes through are on page 11

www.irf.com

12/19/08

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRLR8256PBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLR8256TRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 25V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR8259PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLR8259TRPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLR8503	INFINEON	获取价格	HEXFET MOSFET for DC-DC Converters
IRLR8503PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLR8503TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR8503TRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR8503TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR8503TRR	INFINEON	获取价格	N-Channel Application-Specific MOSFET
IRLR8503TRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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