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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHM93130
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IRHM93130

更新时间： 2024-09-14 22:48:07
品牌 Logo 应用领域
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8页 132K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

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IRHM93130 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：190 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.325 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-CSFM-P3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHM93130 数据手册

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PD - 90888C  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
IRHM9130  
100V, P-CHANNEL  
RAD-Hard™HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHM9130  
100K Rads (Si)  
300K Rads (Si)  
0.3Ω  
0.3Ω  
-11A  
-11A  
IRHM93130  
International Rectifier’s RAD-Hard HEXFETTM technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rds(on) and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
TO-254AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
LowTotal Gate Charge  
ProtonTolerant  
SimpleDriveRequirements  
EaseofParalleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
LightWeight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-11  
-7.0  
-44  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
190  
mJ  
A
AS  
I
-11  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-10  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 ( 0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
9.3 (typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
02/18/03  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHM93130D INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.325ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRHM93130SCS INFINEON

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 		Rad hard, -100V, -11A, single, P-channel MOSFET, R4 in a TO-254AA package - TO-254AA, 100
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