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IRHMB53064PBF

更新时间： 2024-09-15 13:08:51
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英飞凌 - INFINEON /
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8页 178K
描述
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IRHMB53064PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：824 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.006 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRHMB53064PBF 数据手册

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ꢁ
PD-96972  
RADIATION HARDENED  
IRHMB57064  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA)  
60V5, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
IRHMB57064 100K Rads (Si) 0.006Ω  
IRHMB53064 300K Rads (Si) 0.006Ω  
IRHMB54064 600K Rads (Si) 0.006Ω  
IRHMB58064 1000K Rads (Si) 0.006Ω  
ID  
45A*  
45A*  
45A*  
45A*  
Tabless  
Low-Ohmic  
TO-254AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
of low R  
and low gate charge reduces the  
DS(on)  
power losses in switching applications such as DC  
to DC converters and motor control. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of  
electrical parameters.  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Electrically Isolated  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
45*  
45*  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
180  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
208  
W
W/°C  
V
C
1.67  
±20  
V
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
824  
mJ  
A
AS  
I
45  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
20  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
4.3  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)  
8.0 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
03/08/05  
12345678

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与IRHMB53064PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHMB53Z60 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA)
IRHMB53Z60PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHMB54064 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA)
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 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA)
IRHMB57064SCS INFINEON

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 		Rad hard, 60V, 45A, single, N-channel MOSFET, R5 in a TO-254AA Tabless Low Ohmic package -
IRHMB57260SE INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)
IRHMB57260SEPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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