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IRHMB57260SE

更新时间： 2024-09-13 04:23:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 189K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)

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IRHMB57260SE 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：256 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A
最大漏极电流 (ID)：45 A最大漏源导通电阻：0.044 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XSSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：208 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHMB57260SE 数据手册

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ꢁ
PD-96971  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)  
IRHMB57260SE  
200V5, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHMB57260SE 100K Rads (Si)  
0.044Ω 45A  
Low-Ohmic  
TO-254AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
of low R  
and low gate charge reduces the  
DS(on)  
power losses in switching applications such as DC  
to DC converters and motor control. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of  
electrical parameters.  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Electrically Isolated  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
D
I
D
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
45  
29  
GS  
GS  
C
A
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
180  
DM  
@ T = 25°C  
P
208  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
1.67  
±20  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
GS  
E
256  
mJ  
A
AS  
I
45  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
20.8  
19.8  
-55 to 150  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in.(1.6 mm from case for 10s))  
8.0 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
03/08/05  
12345678

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与IRHMB57260SE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHMB57260SEPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHMB57260SESCS INFINEON

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 		Rad hard, 200V, 45A, single, N-channel MOSFET, R5 in a TO-254AA Tabless Low Ohmic package
IRHMB57Z60 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA)
IRHMB57Z60SCS INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 30V, 45A, single, N-channel MOSFET, R5 in a TO-254AA Tabless Low Ohmic package -
IRHMB58064 INFINEON

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IRHMB597064 INFINEON

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 		Rad hard, -60V, -45A, single, P-channel MOSFET, R5 in a TO-254AA Tabless Low Ohmic package
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