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IRHMJ4250

更新时间： 2024-11-20 03:45:07
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
12页 330K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless)

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IRHMJ4250 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TO-254AA, 3 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：26 A最大漏极电流 (ID)：26 A
最大漏源导通电阻：0.11 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XSSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：104 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRHMJ4250 数据手册

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PD-96914  
IRHMJ7250  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
200V, N-CHANNEL  
RAD Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY  
SURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless)  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHMJ7250  
IRHMJ3250  
IRHMJ4250  
100K Rads (Si) 0.10Ω  
300K Rads (Si) 0.10Ω  
600K Rads (Si) 0.10Ω  
26A  
26A  
26A  
26A  
IRHMJ8250 1000K Rads (Si) 0.10Ω  
TO-254AA Tabless  
International Rectifier’s RADHard HEXFET®technology  
provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a  
decade of proven performance and reliability in  
satellite applications. These devices have been  
characterized for both Total Dose and Single Event  
Effects (SEE). The combination of low Rdson and  
low gate charge reduces the power losses in  
switching applications such as DC to DC converters  
and motor control. These devices retain all of the well  
established advantages of MOSFETs such as voltage  
control, fast switching, ease of paralleling and  
temperature stability of electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
26  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
16  
104  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
1.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
500  
mJ  
A
AS  
I
26  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
15  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
5.0  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
8.0 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
12/24/04  
1234567...12

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