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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-XSSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 26 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.11 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XSSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 104 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHMK53160 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT |
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| IRHMK54160 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT |
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| IRHMK57160 | INFINEON |
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Simple Drive Requirements |
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| IRHMK57160_15 | INFINEON |
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Simple Drive Requirements |
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| IRHMK57160SCS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHMK57260SE | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-254AA) |
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| IRHMK57260SEPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRHMK58130 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IRHMK58160 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT |
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| IRHMK593160 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-254AA) |
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