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IRGS15B60KD

更新时间： 2024-09-30 22:17:51

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGS15B60KD 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.04	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	31 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	231 ns
标称接通时间 (ton)：	52 ns	Base Number Matches：	1

IRGS15B60KD 数据手册

PD - 94383C

IRGB15B60KD

IRGS15B60KD

IRGSL15B60KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH

ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

V_CES= 600V

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

I_C= 15A, T_C=100°C

t_sc> 10µs, T_J=150°C

V_CE(on)typ. = 1.8V

n-channel

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

D²Pak

TO-262

TO-220AB

IRGB15B60KD

IRGS15B60KD IRGSL15B60KD

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

600

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Diode Continuous Forward Current

Diode Maximum Forward Current

Gate-to-Emitter Voltage

I_F@ T_C= 25°C

I_F@ T_C= 100°C

I_FM

V_GE

± 20

P_D@ T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

208

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case - IGBT

Min.

–––

Typ.

–––

Max.

0.6

Units

°C/W

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Junction-to-Case - Diode

–––

2.1

Case-to-Sink, flat, greased surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)

Weight

0.50

–––

1.44

–––

www.irf.com

6/24/02

12 3 4 5 6 7...16

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与IRGS15B60KD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRGS15B60KDPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGS15B60KDTRL	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
IRGS15B60KDTRLPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC,
IRGS15B60KDTRR	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
IRGS15B60KDTRRP	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRGS15B60KDTRRPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC,
IRGS15B60KPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC,
IRGS15B60KTRLPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC,
IRGS15B60KTRRPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC,
IRGS30B60	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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