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IRGS4062DPBF

更新时间： 2024-02-08 23:54:38
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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12页 461K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGS4062DPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.56
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：48 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：41 ns门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：250 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：31 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：164 ns标称接通时间 (ton)：64 ns
Base Number Matches：1

IRGS4062DPBF 数据手册

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PD - 97355B  
IRGS4062DPbF  
IRGSL4062DPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology  
C
VCES = 600V  
• Low switching losses  
IC = 24A, TC = 100°C  
• Maximum Junction temperature 175 °C  
• 5 µS short circuit SOA  
G
tSC ≥ 5µs, TJ(max) = 175°C  
• SquareRBSOA  
• 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM  
• Positive VCE (ON) Temperature co-efficient  
• Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode  
• Tightparameterdistribution  
)
E
VCE(on) typ. = 1.65V  
n-channel  
• LeadFreePackage  
C
C
Benefits  
• High Efficiency in a wide range of applications  
E
E
C
G
• Suitable for a wide range of switching frequencies due to  
Low VCE (ON) and Low Switching losses  
• RuggedtransientPerformanceforincreasedreliability  
• ExcellentCurrentsharinginparalleloperation  
• Low EMI  
G
D2Pak  
TO-262  
IRGS4062DPbF  
IRGSL4062DPbF  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
48  
Units  
V
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current  
VCES  
IC @ TC = 25°C  
24  
IC @ TC = 100°C  
96  
ICM  
Clamped Inductive Load Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Transient Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
96  
A
ILM  
48  
IF @ TC = 25°C  
24  
IF @ TC = 100°C  
96  
IFM  
±20  
±30  
250  
125  
V
VGE  
W
PD @ TC = 25°C  
PD @ TC = 100°C  
-55 to +175  
TJ  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
°C  
TSTG  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
0.50  
80  
Max.  
0.60  
1.53  
–––  
Units  
Rθ (IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
JC  
Rθ (Diode)  
JC  
°C/W  
Rθ  
CS  
Rθ  
–––  
JA  
1
www.irf.com  
12/07/09  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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