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IRGS4715DTRRPBF

更新时间： 2024-02-01 17:56:22
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英飞凌 - INFINEON 栅
页数 文件大小 规格书
12页 669K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IRGS4715DTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66湿度敏感等级：1
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IRGS4715DTRRPBF 数据手册

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IRGB4715DPbF  
IRGS4715DPbF  
Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode  
VCES = 650V  
C
IC = 15A, TC =100°C  
tSC 5.5µs, TJ(max) = 175°C  
VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 8A  
G
E
IRGS4715DPbF  
Applications  
IRGB4715DPbF  
TO‐220AB  
D2‐Pak  
n-channel  
• Industrial Motor Drive  
• UPS  
• Solar Inverters  
• Welding  
G
Gate  
C
E
Collector  
Emitter  
Features  
Benefits  
Low VCE(ON) and Switching Losses  
5.5µs Short Circuit SOA  
Square RBSOA  
High Efficiency in a Wide Range of Applications  
Rugged Transient Performance  
Maximum Junction Temperature 175°C  
Positive VCE (ON) Temperature Coefficient  
Increased Reliability  
Excellent Current Sharing in Parallel Operation  
Lead-Free, RoHs compliant  
Environmentally friendly  
Base part number  
Package Type  
Standard Pack  
Orderable Part Number  
Form  
Tube  
Tube  
Quantity  
50  
IRGB4715DPbF  
IRGS4715DPbF  
TO-220  
D2-Pak  
IRGB4715DPbF  
IRGS4715DPbF  
IRGS4715DTRLPbF  
IRGS4715DTRRPbF  
50  
800  
800  
Tape and Reel Left  
Tape and Reel Right  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
650  
V
IC @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current  
21  
IC @ TC = 100°C  
Continuous Collector Current  
15  
ICM  
ILM  
Pulse Collector Current, VGE = 15V  
Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current   
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
24  
32  
21  
13  
32  
A
IF @ TC = 25°C  
IF @ TC = 100°C  
IFM  
VGE  
±30  
100  
V
PD @ TC = 25°C  
W
PD @ TC = 100°C  
Maximum Power Dissipation  
50  
TJ  
Operating Junction and  
-40 to +175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
0.5  
–––  
–––  
Max.  
1.5  
3.6  
–––  
62  
Units  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)   
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)   
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (TO-220)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (D2-Pak)  
RJC (IGBT)  
RJC (Diode)  
RCS  
°C/W  
RJA  
40  
RJA  
1
www.irf.com © 2014 International Rectifier  
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November 12, 2014  
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IRGS4715DTRRPBF 替代型号

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 		暂无描述
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