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IRGS4B60K

更新时间： 2024-02-05 08:02:44
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管栅
页数 文件大小 规格书
13页 296K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRGS4B60K 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.01外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：12 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：199 ns标称接通时间 (ton)：40 ns
Base Number Matches：1

IRGS4B60K 数据手册

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PD - 94633A  
IRGB4B60K  
IRGS4B60K  
IRGSL4B60K  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
Features  
C
VCES = 600V  
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.  
• 10µs Short Circuit Capability.  
• Square RBSOA.  
IC = 6.8A, TC=100°C  
tsc > 10µs, TJ=150°C  
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.  
G
• Maximum Junction Temperature rated at 175°C.  
E
VCE(on) typ. = 2.1V  
Benefits  
• Benchmark Efficiency for Motor Control.  
n-channel  
• Rugged Transient Performance.  
• Low EMI.  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.  
D2Pak  
TO-262  
TO-220  
IRGS4B60K  
IRGSL4B60K  
IRGB4B60K  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)  
Clamped Inductive Load current  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
VCES  
IC @ TC = 25°C  
12  
6.8  
A
IC @ TC = 100°C  
ICM  
24  
24  
±20  
ILM  
VGE  
V
Maximum Power Dissipation  
63  
W
PD @ TC = 25°C  
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
31  
Operating Junction and  
-55 to +175  
TJ  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal / Mechanical Characteristics  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
2.4  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case- IGBT  
°C/W  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
–––  
62  
Rθ  
CS  
RθJA  
–––  
40  
Rθ  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
Weight  
JA  
Wt  
1.44  
–––  
g
www.irf.com  
1
8/4/03  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRGS4B60KD1 INFINEON

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 		暂无描述
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