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IRGS4B60KD1PBF

更新时间： 2024-02-08 11:17:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管电动机控制双极性晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
16页 442K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGS4B60KD1PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：20 weeks 4 days
风险等级：7.32Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：11 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：89 ns门极发射器阈值电压最大值：5.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：63 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：23 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：199 ns
标称接通时间 (ton)：40 nsBase Number Matches：1

IRGS4B60KD1PBF 数据手册

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PD - 95616A  
IRGB4B60KD1PbF  
IRGS4B60KD1PbF  
IRGSL4B60KD1PbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
VCES = 600V  
Features  
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.  
IC = 7.6A, TC=100°C  
tsc > 10µs, TJ=150°C  
VCE(on) typ. = 2.1V  
• 10µs Short Circuit Capability.  
G
• Square RBSOA.  
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.  
E
• Maximum Junction Temperature rated at 175°C.  
• Lead-Free  
n-channel  
Benefits  
• Benchmark Efficiency for Motor Control.  
• Rugged Transient Performance.  
• Low EMI.  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.  
D2Pak  
IRGS4B60KD1 IRGSL4B60KD1  
TO-262  
TO-220  
IRGB4B60KD1  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Collector-to-Emitter Voltage  
600  
V
VCES  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)  
Clamped Inductive Load current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
11  
IC @ TC = 25°C  
7.6  
A
IC @ TC = 100°C  
22  
ICM  
22  
ILM  
11  
IF @ TC = 25°C  
6.7  
IF @ TC = 100°C  
22  
±20  
IFM  
V
VGE  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
63  
W
PD @ TC = 25°C  
31  
PD @ TC = 100°C  
-55 to +175  
TJ  
Storage Temperature Range  
Storage Temperature Range, for 10 sec.  
°C  
TSTG  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal / Mechanical Characteristics  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
2.4  
Units  
°C/W  
Junction-to-Case- IGBT  
RθJC  
Junction-to-Case- Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
6.1  
Rθ  
JC  
0.50  
–––  
–––  
62  
RθCS  
Rθ  
JA  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
Weight  
RθJA  
1.44  
–––  
g
Wt  
www.irf.com  
1
8/30/04  
1234567...16

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IRGS4B60KD1PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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